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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    Online academicJournal
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach.
    Chou, Shao-Heng ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    Online academicJournal
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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET.
    Gnani, Elena ; Gnudi, Antonio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
    Online academicJournal
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    Characterization and Modeling of NBTI in Nanoscale UltraThin Body UltraThin Box FD-SOI MOSFETs.
    Karatsori, Theano A. ; Dimitriadis, Charalabos A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4913-4918
    Online academicJournal
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    Analytical Model for Interface Traps-Dependent Back Bias Capability and Variability in Ultrathin Body and Box FDSOI MOSFETs.
    Chen, Wangyong ; Cai, Linlin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 4573-4577
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors.
    Zheng, Qiwen ; Cui, Jiangwei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 702-709
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    Tri-Gated Hybrid Anode AlGaN/GaN Power Diode With Intrinsic Low Turn-on Voltage and Ultralow Reverse Leakage Current.
    Zhou, Qi ; Chen, Kuangli ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1712-1717
    Online academicJournal
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    Impact of Quantum Confinement on Backgate-Bias Modulated Threshold-Voltage and Subthreshold Characteristics for Ultra-Thin-Body GeOI MOSFETs.
    Yu, Chang-Hung ; Wu, Yu-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-07-01), Heft 7, S. 1851-1855
    Online academicJournal
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    Mobility and Threshold-Voltage Comparison Between (110)- and (100)-Oriented Ultrathin-Body Silicon MOSFETs.
    Tsutsui, Gen ; Hiramoto, Toshiro
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-10-01), Heft 10, S. 2582-2588
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    Systematic Modeling of Electrostatics, Transport, and Statistical Variability Effects of Interface Traps in End-of-the-Roadmap III–V MOSFETs.
    Zagni, Nicolo ; Caruso, Enrico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1560-1566
    Online academicJournal
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    On the MOSFET Threshold Voltage Extraction by Transconductance and Transconductance-to-Current Ratio Change Methods: Part II—Effect of Drain Voltage.
    Rudenko, Tamara ; Kilchytska, Valeriya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 12, S. 4180-4188
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    Investigations on the Geometry Effects and Bias Configuration on the TID Response of nMOS SOI Tri-Gate Nanowire Field-Effect Transistors.
    Riffaud, J. ; Gaillardin, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 39-45
    Online academicJournal
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    Analytical Compact Model for Lightly Doped Nanoscale Ultrathin-Body and Box SOI MOSFETs With Back-Gate Control.
    Karatsori, Theano A. ; Tsormpatzoglou, Andreas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-10-01), Heft 10, S. 3117-3124
    Online academicJournal
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    Experimental and Theoretical Investigation of Magnetoresistance From Linear Regime to Saturation in 14-nm FD-SOI MOS Devices.
    Shin, Minju ; Shi, Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015), Heft 1, S. 3-8
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    Total Ionizing Dose Effects Mitigation Strategy for Nanoscaled FDSOI Technologies.
    Gaillardin, M. ; Martinez, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3023-3029
    Online academicJournal
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    Analytical Modeling of Threshold Voltage and Interface Ideality Factor of Nanoscale Ultrathin Body and Buried Oxide SOI MOSFETs With Back Gate Control.
    Fasarakis, Nikolaos ; Karatsori, Theano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-04-01), Heft 4, S. 969-975
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Impact of Back-Gate Bias and Device Geometry on the Total Ionizing Dose Response of 1-Transistor Floating Body RAMs.
    Mahatme, N. N. ; Zhang, E. X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2966-2973
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