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    A Unified Model For The Simulation Of Small-geometry Devices
    Fierantoni, A. ; Ciampolini, P. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 26-27
    Online Konferenz
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    Verification Of The Viscoelastic Oxidation Model Using Simple Test Structures
    Uchida, T. ; Kotani, N. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 88-89
    Online Konferenz
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    Analysis Of Mechanical Stress Associated With Trench Isolation Using A Two-dimensional Simulation
    Matsuda, S. ; Itoh, N. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 64-65
    Online Konferenz
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    Dynamic-clustering And Grain-growth Kinetics Effects On Dopant Diffusion In Polysilicon
    Hane, M. ; Hasegawa, S.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 52-53
    Online Konferenz
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    A Two-dimensional Process Model For Silicide Growth
    Li, C.M. ; Crandle, T. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 68-69
    Online Konferenz
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    An Efficient Decoupled Algorithm For Solving Energy Transport Equations
    Kato, A. ; Katada, M. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 126-127
    Online Konferenz
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    A New Semi-empirical Model For Amorphous Silicon Thin-film-transistors
    Aoki, H. ; Khalily, E.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 138-139
    Online Konferenz
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    An Analytical Delayed-turn-on Model For Accumulation-type Ultra-thin SOI PMOS Devices Operating At 77K
    Sim, J.H. ; Kuo, J.B.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 132-133
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Zum Volltext
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