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    Robust Lead‐Free Perovskite Nanowire Array‐Based Artificial Synapses Exemplifying Gestalt Principle of Closure via a Letter Recognition Scheme.
    Poddar, Swapnadeep ; Chen, Zhesi ; et al.
    In: Advanced Intelligent Systems (2640-4567), Jg. 4 (2022-07-01), Heft 7, S. 1-10
    Online academicJournal
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    The effects of dynamical synapses on firing rate activity: a spiking neural network model.
    Khalil, Radwa ; Moftah, Marie Z. ; et al.
    In: European Journal of Neuroscience, Jg. 46 (2017-11-01), Heft 9, S. 2445-2470
    Online academicJournal
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    Implantable Organic Artificial Synapses Exhibiting Crossover between Depressive and Facilitative Plasticity Response.
    Calandra Sebastianella, Gioacchino ; Di Lauro, Michele ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 7 (2021-12-01), Heft 12, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Two‐Dimensional Metal‐Organic Framework Film for Realizing Optoelectronic Synaptic Plasticity.
    Liu, Youxing ; Wei, Yanan ; et al.
    In: Angewandte Chemie, Jg. 133 (2021-08-02), Heft 32, S. 17580-17585
    Online academicJournal
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    Flexible Artificial Memristive Synapse Constructed from Solution‐Processed MgO–Graphene Oxide Quantum Dot Hybrid Films.
    Chen, Tong ; Yang, Siwei ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 7 (2021-03-01), Heft 3, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Partially Oxidized MXene Ti<subscript>3</subscript>C<subscript>2</subscript>T<subscript>x</subscript> Sheets for Memristor having Synapse and Threshold Resistive Switching Characteristics.
    Sokolov, Andrey ; Ali, Mumtaz ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 7 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Synaptic Characteristics of an Ultrathin Hexagonal Boron Nitride (h‐BN) Diffusive Memristor.
    Dastgeer, Ghulam ; Abbas, Haider ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Artificial Synapse Based on Oxygen Vacancy Migration in Ferroelectric‐Like C‐Axis‐Aligned Crystalline InGaSnO Semiconductor Thin‐Film Transistors for Highly Integrated Neuromorphic Electronics.
    Lim, Taebin ; Lee, Suhui ; et al.
    In: Advanced Functional Materials, Jg. 33 (2023-02-16), Heft 8, S. 1-12
    Online academicJournal
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    A novel form of presynaptic CaMKII-dependent short-term potentiation between Lymnaea neurons.
    Luk, Collin C. ; Naruo, Hiroaki ; et al.
    In: European Journal of Neuroscience, Jg. 34 (2011-08-15), Heft 4, S. 569-577
    Online academicJournal
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    Back‐End‐of‐Line SiC‐Based Memristor for Resistive Memory and Artificial Synapse.
    Kapur, Omesh ; Guo, Dongkai ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 8 (2022-09-01), Heft 9, S. 1-9
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    A Floating‐Gate‐Like Transistor Based on InSe vdW Heterostructure with High‐Performance Synaptic Characteristics.
    Wang, Jiachen ; Wang, Qilitai ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 219 (2022-07-01), Heft 13, S. 1-8
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    Amorphous‐Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Optoelectronic Synapses with Ultra‐low Energy Consumption.
    Zhu, Rui ; Liang, Huili ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 8 (2022), Heft 1, S. 1-9
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    Frequency‐dependent layer‐specific differences in short‐term synaptic plasticity in the dorsal and ventral CA1 hippocampal field.
    Koutsoumpa, Andriana ; Papatheodoropoulos, Costas
    In: Synapse, Jg. 75 (2021-07-01), Heft 7, S. 1-9
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    Contribution of GABAergic inhibition to synaptic responses and LTD early in postnatal development in the rat superior colliculus.
    Mize, RR ; Salt, TE
    In: The European journal of neuroscience, Jg. 20 (2004-09-01), Heft 5, S. 1331
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    The role of sensory experience in presynaptic development is cortical area specific.
    Cheetham, Claire E. J. ; Fox, Kevin
    In: Journal of Physiology, Jg. 589 (2011-12-01), Heft 23, S. 5691-5699
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    Cortical feedback regulation of input to visual cortex: role of intrageniculate interneurons.
    Augustinaite, Sigita ; Yanagawa, Yuchio ; et al.
    In: Journal of Physiology, Jg. 589 (2011-06-15), Heft 12, S. 2963-2977
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    Time‐Dependent Operations in Molecular Gap Atomic Switches.
    Suzuki, Ayana ; Tsuruoka, Tohru ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 256 (2019-08-01), Heft 8, S. N.PAG
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    A juvenile form of postsynaptic hippocampal long-term potentiation in mice deficient for the AMPA receptor subunit GluR-A.
    Jensen, Vidar ; Kaiser, Katharina M. M. ; et al.
    In: Journal of Physiology, Jg. 553 (2003-12-15), Heft 3, S. 843-856
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    Artificial Synapse Emulated by Charge Trapping‐Based Resistive Switching Device.
    Zhang, Shi‐Rui ; Zhou, Li ; et al.
    In: Advanced Materials Technologies, Jg. 4 (2019-02-01), Heft 2, S. N.PAG
    Online academicJournal
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