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    Enhanced light output of InGaN LEDs with a roughened p-GaN surface using different TMGa flow rates in p-AlGaN layer
    Tsai, P.C. ; Chen, W.R. ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 256, issue 22, page 6694-6698 ; ISSN 0169-4332, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Morphological and luminescent characteristics of GaN dots deposited on AlN by alternate supply of TMG and NH3
    Tsai, Yu-Li ; Gong, Jyh-Rong ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 252, issue 10, page 3454-3459 ; ISSN 0169-4332, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A comment on: “SSIMS identification of surface intermediates in the thermal decomposition of TMGa on Si(100)” by C.R. Flores, X.L. Zhou and J.M. White [Surface Science 261 (1992) 99]
    Cadwell, L.A. ; Masel, R.I.
    In: Surface Science ; volume 301, issue 1-3, page 415-422 ; ISSN 0039-6028, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In-situ observation of Ga adsorption during TMGa exposure on GaAs(001) surfaces with various As coverages
    Otake, Shigeyuki ; Sakamoto, Akira ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 82-83, page 263-268 ; ISSN 0169-4332, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    SSIMS identification of surface intermediates in the thermal decomposition of TMGa on Si(100)
    Flores, C.R. ; Zhou, X. L. ; et al.
    In: Surface Science ; volume 261, issue 1-3, page 99-110 ; ISSN 0039-6028, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    GaN Films deposited on ITO coated glass
    Zhao, J. ; Qin, F. ; et al.
    In: Surface Engineering ; volume 31, issue 7, page 534-539 ; ISSN 0267-0844 1743-2944, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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