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    Effect of TMGa preflow on the properties of high temperature AlN layers grown on sapphire
    Kirste, Ronny ; Wagner, Markus R. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 210, issue 2, page 285-290 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa/NH 3 /H 2 reaction system in GaN‐MOVPE growth by computational simulation
    Hirako, A. ; Koiso, S. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 203, issue 7, page 1716-1719 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Enhanced light output of InGaN LEDs with a roughened p-GaN surface using different TMGa flow rates in p-AlGaN layer
    Tsai, P.C. ; Chen, W.R. ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 256, issue 22, page 6694-6698 ; ISSN 0169-4332, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Morphological and luminescent characteristics of GaN dots deposited on AlN by alternate supply of TMG and NH3
    Tsai, Yu-Li ; Gong, Jyh-Rong ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 252, issue 10, page 3454-3459 ; ISSN 0169-4332, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A comment on: “SSIMS identification of surface intermediates in the thermal decomposition of TMGa on Si(100)” by C.R. Flores, X.L. Zhou and J.M. White [Surface Science 261 (1992) 99]
    Cadwell, L.A. ; Masel, R.I.
    In: Surface Science ; volume 301, issue 1-3, page 415-422 ; ISSN 0039-6028, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In-situ observation of Ga adsorption during TMGa exposure on GaAs(001) surfaces with various As coverages
    Otake, Shigeyuki ; Sakamoto, Akira ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 82-83, page 263-268 ; ISSN 0169-4332, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    SSIMS identification of surface intermediates in the thermal decomposition of TMGa on Si(100)
    Flores, C.R. ; Zhou, X. L. ; et al.
    In: Surface Science ; volume 261, issue 1-3, page 99-110 ; ISSN 0039-6028, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Metalorganic Chemical Vapor Deposition Gallium Nitride with Fast Growth Rate for Vertical Power Device Applications
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 218, issue 6 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2021
    academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Characterization of low Al content Al x Ga 1− x N epitaxial films grown by atmospheric‐pressure MOVPE
    Touré, A. ; Halidou, I. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 209, issue 5, page 977-983 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Carbon‐tuned cathodoluminescence of semi‐insulating GaN
    Kakanakova‐Georgieva, A. ; Forsberg, U. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 208, issue 9, page 2182-2185 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2011
    academicJournal
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