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    Effect of TMGa preflow on the properties of high temperature AlN layers grown on sapphire
    Kirste, Ronny ; Wagner, Markus R. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 210, issue 2, page 285-290 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa/NH 3 /H 2 reaction system in GaN‐MOVPE growth by computational simulation
    Hirako, A. ; Koiso, S. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 203, issue 7, page 1716-1719 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Metalorganic Chemical Vapor Deposition Gallium Nitride with Fast Growth Rate for Vertical Power Device Applications
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 218, issue 6 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of low Al content Al x Ga 1− x N epitaxial films grown by atmospheric‐pressure MOVPE
    Touré, A. ; Halidou, I. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 209, issue 5, page 977-983 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Stability study of inverse suspension copolymerization of 1,1,3,3‐tetramethylguandium acrylate and N,N′ ‐methylenebisacrylamide
    Dong, Jie ; Wu, Linbo ; et al.
    In: Journal of Applied Polymer Science ; volume 118, issue 3, page 1450-1454 ; ISSN 0021-8995 1097-4628, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Carbon‐tuned cathodoluminescence of semi‐insulating GaN
    Kakanakova‐Georgieva, A. ; Forsberg, U. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 208, issue 9, page 2182-2185 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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