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    academicJournal
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    AlxGa1−xN Ultraviolet Avalanche Photodiodes With Avalanche Gain Greater Than $10^{5}$
    Kim, J. ; Ji, M. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 27 (2015-03-15), Heft 6, S. 642-642
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
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    serialPeriodical
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    Influence of AlxGa1-xN nucleation layers on MOVPE-grown zincblende GaN epilayers on 3C-SiC/Si(001) ...
    Gundimeda, A ; Rostami, M ; et al.
    2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Research data supporting 'Influence of AlxGa1-xN nucleation layers on MOVPE-grown zincblende GaN epilayers on 3C-SiC/Si(001)'
    Gundimeda, Abhiram ; Rostami, Mohammadreza ; et al.
    2022
    unknown
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Studies on dislocation and surface morphology of AlxGa1−xN/GaN heterostructures grown by MOCVD.
    Loganathan, R. ; Jayasakthi, M. ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 616 (2014-12-15), S. 363-371
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
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    AlxGa1−xN Ultraviolet Avalanche Photodiodes With Avalanche Gain Greater Than 10^5.
    Kim, Jeomoh ; Ji, Mi-Hee ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 27 (2015-03-15), Heft 6, S. 642-645
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Highly Conductive n-Al 0.65 Ga 0.35 N Grown by MOCVD Using Low V/III Ratio.
    Zollner, Christian J. ; Yao, Yifan ; et al.
    In: Crystals (2073-4352), Jg. 11 (2021-08-01), Heft 8, S. 1006
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effect of oxidation on the optical and surface properties of AlGaN
    Wang XL (Wang X. L.) ; Zhao DG (Zhao D. G.) ; et al.
    2006
    report
    Wie komme ich dran?

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