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    Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE
    Nakano, T. ; Nakano, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 179-185
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy of gallium arsenide with the use of atomic hydrogen.
    del Keijser, M. ; van Opdorp, C.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 58 (1991-03-18), Heft 11, S. 1187-1189
    Online academicJournal
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    Photoemission investigation of the room-temperature adsorption of trimethylgallium on GaAs surface.
    Claverie, Pierre ; Ueyama, Kosuke ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-02-20), Heft 8, S. 698-699
    Online academicJournal
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