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219 Treffer

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    MOCVD Epitaxy of α-(AlxGa1−x)2O3 (x =0–100%) on m-Plane Sapphire Substrate
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Feng, Zixuan ; et al.
    In: 2022 Compound Semiconductor Week (CSW), 2022-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Periodic oscillations in dimer quasiperiodic fibonacci AlxGa1−xAs/GaAs superlattices
    Aziz, Zoubir ; Sefir, Yamina ; et al.
    In: 2013 Saudi International Electronics, Communications and Photonics Conference, 2013-04-01, S. 1-5
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Nature of the electronic states in random dimer AlxGa1−xAs superlattices
    Bentata, S.
    In: 2011 Saudi International Electronics, Communications and Photonics Conference (SIECPC), 2011-04-01, S. 1-6
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Medium wavelength infrared detector with diffused AlxIn/sub 1-x/Sb/InSb quantum-well structure
    Sim, S.K.H. ; Mutamba, K. ; et al.
    In: Proceedings 1998 Hong Kong Electron Devices Meeting (Cat. No.98TH8368), 1998, S. 18-21
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Improved performance from pseudomorphic InyGa/sub 1-y/As-GaAs MQW lasers with low growth temperature AlxGa/sub 1-x/As short-period superlattice cladding
    Larkins, E.C. ; Benz, W. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 7 (1995), Heft 1, S. 16-19
    Online academicJournal
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    Epitaxial Growth of κ‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Layers and Superlattice Heterostructures up to x = 0.48 on Highly Conductive Al‐Doped ZnO Thin‐Film Templates by Pulsed Laser Deposition
    Kneiß, Max ; Storm, Philipp ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 258 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Influence of ultrathin AlN interlayer on the microstructure and the electrical transport properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Song, J. ; Xu, F. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 106 (2009-10-15), Heft 8, S. 83711-83715
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Photoluminescence-excitation spectroscopy as a highly sensitive probe for carrier transport processes affected by surface damages in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Takeuchi, Hideo ; Yamamoto, Yoshitsugu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-08-15), Heft 4, S. 43510-43517
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Interface intermixing and interdiffusion characteristics in MOVPE grown spontaneous AlxGa1-xAs/GaAs (100) superlattice structures using high resolution X-ray diffraction.
    Pradhan, A. ; Mukherjee, S. ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 126 (2019-02-01), S. 193-199
    Online academicJournal
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    Growth and characteristics of Ni-based Schottky-type Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N ultraviolet photodetectors with AlGaN/GaN superlattices.
    Ki Yon Park ; Bong Joon Kwon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-12-15), Heft 12, S. 124505-124508
    Online academicJournal
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    Microstructural properties and atomic arrangements in GaN/sapphire and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN/sapphire heterostructures.
    Kim, T. W. ; Lee, D. U. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-15), Heft 12, S. 7118-7121
    Online academicJournal
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    Investigation of nitrogen polar p-type doped GaN/Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>(1-x)</subscript>N superlattices for applications in wide-bandgap p-type field effect transistors.
    Krishna, Athith ; Raj, Aditya ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-10-21), Heft 17, S. N.PAG- (5S.)
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    Comparison of the AlxGa1–xN/GaN Heterostructures Grown on Silicon-on-Insulator and Bulk-Silicon Substrates.
    Tham, Wai Hoe ; Ang, Diing Shenp ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 345-352
    Online academicJournal
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    Self-consistent analysis of persistent photoconductivity data in Si delat-doped AlxGa1-xAs...
    Mejri, H. ; Jazia, A. Ben
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-11-01), Heft 9, S. 5060-5063
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    academicJournal
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    Quantitative x-ray diffraction analysis of strain and interdiffusion in β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> superlattices of μ-Fe<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> and β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>.
    Hettiaratchy, Elline C. ; Wang, Binbin ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 40 (2022-12-01), Heft 6, S. 1-9
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    Evaluation of spontaneous superlattice ordering in MOCVD grown AlxGa1-xAs epilayer on GaAs (100) using X-ray reflectivity and rocking curve analysis.
    Maitra, T. ; Pradhan, A. ; et al.
    In: Physica E, Jg. 106 (2019-02-01), S. 357-362
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