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    academicJournal
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    Epitaxial Growth of κ‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Layers and Superlattice Heterostructures up to x = 0.48 on Highly Conductive Al‐Doped ZnO Thin‐Film Templates by Pulsed Laser Deposition
    Kneiß, Max ; Storm, Philipp ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 258 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Influence of ultrathin AlN interlayer on the microstructure and the electrical transport properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Song, J. ; Xu, F. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 106 (2009-10-15), Heft 8, S. 83711-83715
    Online academicJournal
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    Photoluminescence-excitation spectroscopy as a highly sensitive probe for carrier transport processes affected by surface damages in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Takeuchi, Hideo ; Yamamoto, Yoshitsugu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-08-15), Heft 4, S. 43510-43517
    Online academicJournal
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    Interface intermixing and interdiffusion characteristics in MOVPE grown spontaneous AlxGa1-xAs/GaAs (100) superlattice structures using high resolution X-ray diffraction.
    Pradhan, A. ; Mukherjee, S. ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 126 (2019-02-01), S. 193-199
    Online academicJournal
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    Growth and characteristics of Ni-based Schottky-type Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N ultraviolet photodetectors with AlGaN/GaN superlattices.
    Ki Yon Park ; Bong Joon Kwon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-12-15), Heft 12, S. 124505-124508
    Online academicJournal
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    Microstructural properties and atomic arrangements in GaN/sapphire and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN/sapphire heterostructures.
    Kim, T. W. ; Lee, D. U. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-15), Heft 12, S. 7118-7121
    Online academicJournal
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    Investigation of nitrogen polar p-type doped GaN/Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>(1-x)</subscript>N superlattices for applications in wide-bandgap p-type field effect transistors.
    Krishna, Athith ; Raj, Aditya ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-10-21), Heft 17, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Comparison of the AlxGa1–xN/GaN Heterostructures Grown on Silicon-on-Insulator and Bulk-Silicon Substrates.
    Tham, Wai Hoe ; Ang, Diing Shenp ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 345-352
    Online academicJournal
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    Self-consistent analysis of persistent photoconductivity data in Si delat-doped AlxGa1-xAs...
    Mejri, H. ; Jazia, A. Ben
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-11-01), Heft 9, S. 5060-5063
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Quantitative x-ray diffraction analysis of strain and interdiffusion in β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> superlattices of μ-Fe<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> and β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>.
    Hettiaratchy, Elline C. ; Wang, Binbin ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 40 (2022-12-01), Heft 6, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Evaluation of spontaneous superlattice ordering in MOCVD grown AlxGa1-xAs epilayer on GaAs (100) using X-ray reflectivity and rocking curve analysis.
    Maitra, T. ; Pradhan, A. ; et al.
    In: Physica E, Jg. 106 (2019-02-01), S. 357-362
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Inter-miniband optical absorption in a modulation-doped AlxGa1-xAs/GaAs superlattice.
    Kim, Kyeu T. ; Lee, Sang Soo ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-05-01), Heft 9, S. 6617-6624
    Online academicJournal
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    Impurity induced layer disordering of Si implanted AlxGa1-xAs-GaAs quantum-well heterostructures: Layer disordering via diffusion from extrinsic dislocation loops.
    Guido, L. J. ; Hsieh, K. C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 61 (1987-02-15), Heft 4, S. 1329-1334
    Online academicJournal
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    Electronic subbands for AlxGa1-xAs/GaAs multilayer and superlattice structures.
    Ruden, P. P. ; Engelhardt, D. C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 61 (1987), Heft 1, S. 294-298
    Online academicJournal
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    Defect structure and intermixing of ion-implanted AlxGa1-xAs/GaAs superlattices.
    Ralston, J. ; Wicks, G. W. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 59 (1986), Heft 1, S. 120-123
    Online academicJournal
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    Transmission electron microscope observation of lattice image of AlxGa1-xAs-AlyGa1-yAs superlattices with high contrast.
    Suzuki, Yoshifumi ; Okamoto, Hiroshi
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 58 (1985-11-01), Heft 9, S. 3456-3462
    Online academicJournal
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