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    Spectroscopic analysis of the NIR emission in Tm implanted Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers.
    Rodrigues, J. ; Fialho, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-08-28), Heft 8, S. 81701-1- (11S.)
    Online academicJournal
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    Optical properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N alloy.
    Takeuchi, Katsuki ; Adachi, Sadao ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-01-15), Heft 2, S. 23306-23316
    Online academicJournal
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    Photoluminescence-excitation spectroscopy as a highly sensitive probe for carrier transport processes affected by surface damages in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Takeuchi, Hideo ; Yamamoto, Yoshitsugu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-08-15), Heft 4, S. 43510-43517
    Online academicJournal
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    Zone center optical phonons in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N mixed crystals.
    Kazan, M. ; Masri, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-07-01), Heft 1, S. 13508-13513
    Online academicJournal
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    Dielectric functions of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>Sb (0.00<=x<=0.39) alloys from 1.5 to 6.0 eV.
    Choi, S. G. ; Palmstrøm, C. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-11-15), Heft 10, S. 104108-104112
    Online academicJournal
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    Study of the confined states in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As/GaAs/vacuum surface quantum well.
    Xiong, D. Y. ; Wang, J. Q.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 115 (2014-04-14), Heft 14, S. 143506-1- (5S.)
    Online academicJournal
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    Optical functions from 0.02 to 6 eV of AlxGa1-xSb/GaSb epitaxial layers.
    Ferrini, R. ; Patrini, M.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-10-15), Heft 8, S. 4517-4524
    Online academicJournal
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    Fine structure of Dx(Sn) centers in AlxGa1-xAs.
    Zhan, H.H. ; Kang, J.Y. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-09-01), Heft 5, S. 2497-2500
    Online academicJournal
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    Investigation of DX centers in AlxGa1-xAs by space charge spectroscopy.
    Wöckinger, J. ; Jantsch, W. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 74 (1993-07-15), Heft 2, S. 1051-1056
    Online academicJournal
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    Deep-level transient charge spectroscopy of Sn donors in AlxGa1-xAs.
    Arora, B. M. ; Chakravarty, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 73 (1993-02-15), Heft 4, S. 1802-1806
    Online academicJournal
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    Environmental degradation of AlxGa1-xAs-GaAs quantum-well heterostructures.
    Dallesasse, J. M. ; El-Zein, N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 68 (1990-09-01), Heft 5, S. 2235-2238
    Online academicJournal
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    Metastable defects in Be-doped AlxGa1-xAs.
    Magno, R. ; Shelby, R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 65 (1989-06-15), Heft 12, S. 4828-4831
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    Ellipsometric and thermoreflectance spectra of (AlxGa1-x)0.5In0.5P alloys.
    Ozaki, Shunji ; Adachi, Sadao ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 79 (1996), Heft 1, S. 439-445
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    Time analyzed transient spectroscopy and multiple DX related emission centers in silicon doped AlxGa1-xAs.
    Agarwal, Sandeep ; Mohapatra, Y. N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995-06-01), Heft 11, S. 5725-5729
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    New AlxGa1-xAs related deep luminescence observed in modulation doped quantum wells.
    Plentz, F. ; Meneses, E. A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995-06-01), Heft 11, S. 5946-5949
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    Ion damage buildup and amorphization processes in AlxGa1-xAs.
    Tan, H. H. ; Jagadish, C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995), Heft 1, S. 87-94
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    Graded-gap Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As analyzer of X-ray and alpha-particle spectra
    Silenas, A.
    In: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A, Jg. 531 (2004-09-21), Heft 1/2, S. 92-96
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    Correlation of the Spatial Variation of Single-Event Transient Sensitivity With Thermoreflectance Thermography in \text Alx {\text {Ga}}1-x N/GaN HEMTs.
    Khachatrian, A. ; Roche, N. J. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 369-375
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    Determination of alloy composition in modulation doped AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure.
    Wang, D. P. ; Lo, Ikai ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995), Heft 1, S. 172-174
    Online academicJournal
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    Optical dispersion of AlxGa1-xAs at crystal growth temperature.
    Shin, Jae-Heon ; Lee, Yong-Hee
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 76 (1994-12-15), Heft 12, S. 8048-8050
    Online academicJournal
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