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    Exploration of Clustering Algorithms effects on Mesh of Clusters based FPGA Architecture Performance
    Bouaziz, Khouloud ; Chtourou, Sonda ; et al.
    In: 2019 International Conference on High Performance Computing & Simulation (HPCS), 2019-07-01, S. 658-665
    Online Konferenz
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    Impact of Clustering Algorithms on the performance of Multilevel Switch Boxes FPGA with Long Wires
    Bouaziz, Khouloud ; Chtourou, Sonda ; et al.
    In: 2019 15th International Wireless Communications & Mobile Computing Conference (IWCMC), 2019-06-01, S. 1025-1030
    Online Konferenz
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    Three Gossiping Protocols in Three-Dimensional Underwater Optical Cellular Network
    Wang, Yuan ; Zhang, Tianyi ; et al.
    In: 2023 Asia Communications and Photonics Conference/2023 International Photonics and Optoelectronics Meetings (ACP/POEM), 2023-11-04, S. 1-5
    Online Konferenz
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    Consistent Quantitative Models For The Coupled Diffusion Of Dopants And Point Defects In Silicon
    Dunham, S.T.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 46-49
    Online Konferenz
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    A System For 3 D Simulations Of Complex Si And Heterostructure Devices
    Conti, P. ; Tomizawa, M. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 14-15
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    A Unified Model For The Simulation Of Small-geometry Devices
    Fierantoni, A. ; Ciampolini, P. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 26-27
    Online Konferenz
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    Dynamic-clustering And Grain-growth Kinetics Effects On Dopant Diffusion In Polysilicon
    Hane, M. ; Hasegawa, S.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 52-53
    Online Konferenz
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    MASTAR - A Model For Analog Simulation Of Subthreshold, Saturation And Weak Avalanche Regions In MOSFETs
    Skotnicki, T. ; Merckel, G. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 146-147
    Online Konferenz
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    Computational Evaluation Of Three-dimensional Topography Process Simulation Components
    Wang, R.H. ; Karasick, M.S. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 94-95
    Online Konferenz
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    Effects Of Physical Models On Bipolar AC Characteristics
    Shigyo, N. ; Niitsu, Y.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 114-115
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    Three Dimensional Monte Carlo Simulation Of Ion Implantation With Octree Based Point Location
    Stippel, H. ; Selberherr, S.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 122-123
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Solid Modeling-based Parametric Operations For Device Design
    Wong, W.T. ; Yang, D.X. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 136-137
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    The effect of LUT size on nanometer FPGA architecture
    Tang, Xifan ; Wang, Lingli
    In: 2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2012-10-01, S. 1-4
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