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    Characterization of Al <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−x </subscript>As layers grown on (100) GaAs by metallic-arsenic-based-MOCVD
    Díaz-Reyes, J. ; Galván-Arellano, M. ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1182-1186
    Online academicJournal
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    Chemical characterization of gallium droplets grown by LP-MOCVD
    Imhoff, L. ; Heintz, O. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 253 (2006-12-30), Heft 5, S. 2820-2824
    Online academicJournal
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    Basic studies of gallium Nitride growth on Sapphire by metalorganuc Chemical Vapor Deposition and optical properties of deposited layers ; Grundlagenuntersuchungen zur MOCVD-Züchtung von Gallium-Nitrid auf Saphir und optische Eigenschaften von deponierten Schichten
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    1995
    academicJournal
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