Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
17 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Verlag

Publikation

Sprache

Inhaltsanbieter

17 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach.
    Chou, Shao-Heng ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs.
    Arshad, Mohd Khairuddin Md ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo.
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k · p schrödinger equation
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), Heft 2, S. 143-148
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), Heft 2, S. 137-142
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    High frequency performance of sub-100nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO<subscript>2</subscript> gate stack
    Lim, Tao Chuan ; Rozeau, Olivier ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-04-01), Heft 4, S. 433-437
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-12-01), Heft 12, S. 1867-1871
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices.
    Pei, Yunpeng ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1203-1210
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007-04-01), Heft 4, S. 611-616
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), Heft 4, S. 660-667
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices.
    Zhuge, Jing ; An, Xia ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 23 (2008-07-01), Heft 7, S. 75009-75009
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optimal UTB FD/SOI Device Structure Using Thin BOX for Sub-50-nm SRAM Design.
    Mukhopadhyay, Saibal ; Kim, Keunwoo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-04-01), Heft 4, S. 284-287
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Experimental Study on Superior Mobility in (110)-Oriented UTB SOI pMOSFETs.
    Tsutsui, Gen ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), Heft 11, S. 836-838
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -