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    Negative and Positive Muon-Induced Single Event Upsets in 65-nm UTBB SOI SRAMs.
    Manabe, Seiya ; Watanabe, Yukinobu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1742-1749
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    Single-Event Transient Space Characterizations in 28-nm UTBB SOI Technologies and Below.
    de Boissac, Capucine Lecat-Mathieu ; Abouzeid, Fady ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021), Heft 1, S. 21-26
    Online academicJournal
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    Single Event Transient and TID Study in 28 nm UTBB FDSOI Technology.
    Liu, Rui ; Evans, Adrian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 113-118
    Online academicJournal
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    Online academicJournal
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    Quasi-Schottky-Barrier UTBB SOI MOSFET for Low-Power Robust SRAMs.
    Ghanatian, Hamdam ; Hosseini, Seyed Ebrahim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-04-01), Heft 4, S. 1575-1582
    Online academicJournal
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    Simulation Study of a 3-D Device Integrating FinFET and UTBFET.
    Fahad, Hossain M. ; Hu, Chenming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015), Heft 1, S. 83-87
    Online academicJournal
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs.
    Arshad, Mohd Khairuddin Md ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    Online academicJournal
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    Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies—Part II: DC and AC Model Description.
    Poiroux, Thierry ; Rozeau, O. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-09-01), Heft 9, S. 2760-2768
    Online academicJournal
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    Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies—Part I: Interface Potentials Analytical Model.
    Poiroux, T. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-09-01), Heft 9, S. 2751-2759
    Online academicJournal
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach.
    Chou, Shao-Heng ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    Online academicJournal
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    Mobility Improvement Study for 8-Å-EOT HfO2 UTBB-FD-SOI MOSFET Based on the Direct Extraction of the Back-Channel Mobility.
    Trojman, Lionel ; Ragnarsson, Lars-Ake ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-11-01), Heft 11, S. 3632-3638
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    Endurance of One Transistor Floating Body RAM on UTBOX SOI.
    Aoulaiche, Marc ; Bravaix, Alain ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 3, S. 801-805
    Online academicJournal
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    Multi-VT UTBB FDSOI Device Architectures for Low-Power CMOS Circuit.
    Noel, Jean-Philippe ; Thomas, Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-08-01), Heft 8, S. 2473-2482
    Online academicJournal
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    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices.
    Pei, Yunpeng ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1203-1210
    Online academicJournal
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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo.
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
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    Characterization and Modeling of NBTI in Nanoscale UltraThin Body UltraThin Box FD-SOI MOSFETs.
    Karatsori, Theano A. ; Dimitriadis, Charalabos A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4913-4918
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    Mobility and Threshold-Voltage Comparison Between (110)- and (100)-Oriented Ultrathin-Body Silicon MOSFETs.
    Tsutsui, Gen ; Hiramoto, Toshiro
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-10-01), Heft 10, S. 2582-2588
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    Impact of SOI Substrate on the Radiation Response of UltraThin Transistors Down to the 20 nm Node.
    Gaillardin, Marc ; Martinez, Martial ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2583-2589
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    On the MOSFET Threshold Voltage Extraction by Transconductance and Transconductance-to-Current Ratio Change Methods: Part II—Effect of Drain Voltage.
    Rudenko, Tamara ; Kilchytska, Valeriya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 12, S. 4180-4188
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    A Low-Field Mobility Model for Bulk and Ultrathin-Body SOI p-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations.
    Silvestri, Luca ; Reggiani, Susanna ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 12, S. 3287-3294
    Online academicJournal
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