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    Layout-Induced Strain Study for RF Performance Improvement of 22-nm UTBB FDSOI PFET.
    Sloyan, Karen ; Ravaux, Florent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3230-3237
    Online academicJournal
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    Single-Event Transient Space Characterizations in 28-nm UTBB SOI Technologies and Below.
    de Boissac, Capucine Lecat-Mathieu ; Abouzeid, Fady ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021), Heft 1, S. 21-26
    Online academicJournal
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current.
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    Online academicJournal
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    Characterization and Modeling of NBTI in Nanoscale UltraThin Body UltraThin Box FD-SOI MOSFETs.
    Karatsori, Theano A. ; Dimitriadis, Charalabos A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4913-4918
    Online academicJournal
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    Analytical Model for Interface Traps-Dependent Back Bias Capability and Variability in Ultrathin Body and Box FDSOI MOSFETs.
    Chen, Wangyong ; Cai, Linlin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 4573-4577
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors.
    Zheng, Qiwen ; Cui, Jiangwei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 702-709
    Online academicJournal
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    Characterization and Optimization of Inverted-T FinFET Under Nanoscale Dimensions.
    Yu, Eunseon ; Heo, Keun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 3521-3527
    Online academicJournal
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    Impact of Transistor Architecture (Bulk Planar, Trigate on Bulk, Ultrathin-Body Planar SOI) and Material (Silicon or III–V Semiconductor) on Variation for Logic and SRAM Applications.
    Agrawal, Nidhi ; Kimura, Yoshie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-10-01), Heft 10, S. 3298-3304
    Online academicJournal
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    MONTE-CARLO SIMULATION OF ULTRA-THIN FILM SILICON-ON-INSULATOR MOSFETs.
    GÁMIZ, FRANCISCO ; SAMPEDRO, CARLOS ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 22 (2013-11-01), Heft 1, S. -1- (32S.)
    academicJournal
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    Novel Ultrathin FD-SOI BiMOS Device With Reconfigurable Operation.
    Athanasiou, Sotirios ; Legrand, Charles-Alexandre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-03-01), Heft 3, S. 916-922
    Online academicJournal
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    Compact Modeling of Negative-Capacitance FDSOI FETs for Circuit Simulations.
    Dabhi, Chetan Kumar ; Parihar, Shivendra Singh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 2710-2716
    Online academicJournal
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    1T Pixel Sensor Based on FDSOI Transistor Optical Back Biasing.
    Kadura, Lina ; Grenouillet, Laurent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-05-01), Heft 5, S. 2249-2255
    Online academicJournal
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    Transadmittance Efficiency Under NQS Operation in Asymmetric Double Gate FDSOI MOSFET.
    El Ghouli, Salim ; Sallese, Jean-Michel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 300-307
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Experimental gm/{I}{D} Invariance Assessment for Asymmetric Double-Gate FDSOI MOSFET.
    El Ghouli, Salim ; Rideau, Denis ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 11-18
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Experimental $I$ ? $V(T)$ and $C$ ? $V$ Analysis of Si Planar p-TFETs on Ultrathin Body.
    Liu, Chang ; Yu, Wenjie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 5036-5040
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    Double-Gate Negative-Capacitance MOSFET With PZT Gate-Stack on Ultra Thin Body SOI: An Experimentally Calibrated Simulation Study of Device Performance.
    Saeidi, Ali ; Stolichnov, Igor ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4678-4684
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Effects Mitigation Strategy for Nanoscaled FDSOI Technologies.
    Gaillardin, M. ; Martinez, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3023-3029
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