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    Suppression of Drain Current Leakage and Short-Channel Effect in Lateral Ga2O3 RF MOSFETs Using (AlxGa1-x)2O3 Back-Barrier
    Ohtsuki, T. ; Kamimura, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-11-01), Heft 11, S. 1829-1832
    Online academicJournal
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    Low Resistance Ohmic Contact on Epitaxial MOVPE Grown β-Ga2O3 and β-(AlxGa1−x)2O3 Films
    Alema, F. ; Peterson, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1649-1652
    Online academicJournal
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    Design and Simulation of GaN-Based Trench Gate MISFET with AlxGa1-xN as the Vertical Channel Barrier Layer
    Ren, Quanli ; Li, Xiangdong ; et al.
    In: 2021 4th International Conference on Energy, Electrical and Power Engineering (CEEPE), 2021-04-23, S. 326-329
    Online Konferenz
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    Crystalline silicon solar cell design with AlxGa1−xAs as heterojunction with compound thin layer for biosensor application
    Prayoga, Syam Erast ; Purnamaningsih, Retno Wigajatri ; et al.
    In: 2017 15th International Conference on Quality in Research (QiR) : International Symposium on Electrical and Computer Engineering, 2017-07-01, S. 137-140
    Online Konferenz
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    Excellent surface passivation of crystalline silicon by ternary AlxMg1−xOy thin films
    Lee, Hyunju ; Kamioka, Takefumi ; et al.
    In: 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2016-06-01, S. 2931-2934
    Online Konferenz
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    Design and Demonstration of (AlxGal-x)2O3/Ga2O3Double Heterostructure Field Effect Transistor (DHFET)
    Zhang, Yuewei ; Xia, Zhanbo ; et al.
    In: 2018 76th Device Research Conference (DRC), 2018-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on the Si-doping effects in high AlN mole fraction AlxGa1−xN multiple quantum wells grown on an AlN template by metalorganic vapor phase epitaxy
    Chichibu, S. F. ; Ishikawa, Y. ; et al.
    In: 2015 15th International Workshop on Junction Technology (IWJT), 2015-06-01, S. 29-33
    Online Konferenz
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    Comparison of the AlxGa1–xN/GaN Heterostructures Grown on Silicon-on-Insulator and Bulk-Silicon Substrates
    Tham, W.H. ; Ang, D.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 345-352
    Online academicJournal
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    A comprehensive analysis of SOI-TFET with novel AlxGa1−xAs channel material
    Chander, Sweta ; Baishya, S.
    In: 2014 2nd International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS), 2014-03-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Thermal stress analysis and structural design of AlxGa1−xN/GaN epilayers based on Si substrate
    Yang, Kai ; Lin, Bin ; et al.
    In: 2013 10th China International Forum on Solid State Lighting (ChinaSSL), 2013-11-01, S. 295-298
    Online Konferenz
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    Alxin1-xasysb1-y separate absorption, charge, and multiplication avalanche photodiodes
    Ren, M. ; Maddox, S.J. ; et al.
    In: 2016 74th Annual Device Research Conference (DRC), 2016-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Low excess noise AlxIn1-xAsySb1-y (x: 0.3∼0.7) avalanche photodiodes
    Ren, M. ; Maddox, S. J. ; et al.
    In: 2016 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2016-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Strain Analysis of GaN HEMTs on (111) Silicon with Two Transitional AlxGa1−xN Layers
    Cai, Yuefei ; Zhu, Chenqi ; et al.
    In: Materials, Jg. 11 (2018-10-01), Heft 10, S. 1968
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    Electronic properties of Si-doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N with aluminum mole fractions above 80%.
    Mehnke, Frank ; Xuan Thang Trinh ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-10-14), Heft 14, S. 1-10
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    AlxIn1−xN on Si (100) Solar Cells (x = 0–0.56) Deposited by RF Sputtering
    Valdueza-Felip, Sirona ; Blasco, Rodrigo ; et al.
    In: Materials, Jg. 13 (2020-05-01), Heft 10, S. 2336
    Online academicJournal
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    AlxIn1−xN on Si (100) Solar Cells (x = 0–0.56) Deposited by RF Sputtering
    Valdueza-Felip, Sirona ; Blasco, Rodrigo ; et al.
    2021
    Online academicJournal
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