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    Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD.
    Um, Dae-Young ; Mandal, Arjun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 18 (2016-01-21), Heft 3, S. 480-487
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Thickness inhomogeneities and growth mechanisms of GaP heteroepitaxy by organometallic chemical vapor deposition.
    Liu, X. ; Aspnes, D. E.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 28 (2010-07-01), Heft 4, S. 583-589
    Online academicJournal
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