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    academicJournal
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    Metastable states of Si donors in AlxGa1-xAs.
    Jia, Y. B. ; Grimmeiss, H. G.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-10-15), Heft 8, S. 4395-4399
    Online academicJournal
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    n-type ion implantation doping of AlxGa1-xAs (0≤x≤0.7).
    Zolper, J. C. ; Klem, J. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-08-15), Heft 4, S. 2132-2137
    Online academicJournal
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    Deep acceptorlike states in Si doped molecular-beam-epitaxial-grown AlxGa1-xAs.
    Jia, Y. B. ; Grimmeiss, H. G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-07-15), Heft 2, S. 859-863
    Online academicJournal
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    Hole capture at the DX(Si) and DX(Te) defects in AlxGa1-xAs.
    Dobaczewski, L. ; Kaczor, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 72 (1992-10-01), Heft 7, S. 3198-3200
    Online academicJournal
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    AlxGa1−xN/GaN/AlN heterostructures grown on Si(1 1 1) substrates by MBE for MSM UV photodetector applications.
    Yusoff, M.Z. Mohd ; Hassan, Z. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 34 (2015-06-01), S. 214-223
    Online academicJournal
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    Strain Analysis of GaN HEMTs on (111) Silicon with Two Transitional AlxGa1−xN Layers.
    Cai, Yuefei ; Zhu, Chenqi ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 11 (2018-10-01), Heft 10, S. 1968
    Online academicJournal
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    Multicomponent structure in the temperature-dependent persistent photoconductivity due to different DX centers in AlxGa1-xAs:Si.
    Brunthaler, G. ; Köhler, K.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-11-19), Heft 21, S. 2225-2227
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Multiple release layer study of the intrinsic lateral etch rate of the epitaxial lift-off process.
    Voncken, M. M. A. J. ; Schermer, J. J. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 79 (2004-11-01), Heft 7, S. 1801-1807
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Effects of substitution of Al for Si on the lattice variations and thermal expansion of Mo(Si,Al)<subscript>2</subscript>
    Tabaru, Tatsuo ; Shobu, Kazuhisa ; et al.
    In: Intermetallics, Jg. 12 (2004), Heft 1, S. 33-41
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Electrical Activation Studies of Silicon Implanted Aluminum Gallium Nitride with High Aluminum Mole Fraction
    Moore, Elizabeth A. ; AIR FORCE INST OF TECH WRIGHT-PATTERSON AFB OH SCHOOL OF ENGINEERING AND, MANAGEMENT
    In: DTIC, 2007
    academicJournal
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    Metastable precipitation in 6XXX Al alloys as revealed by STEM-ADF at the atomic level [Précipitation métastable dans les alliages Al 6XXX: apports de l'imagerie en STEM-ADF à l'échelle atomique]
    Epicier, T. ; Cayron, C. ; et al.
    In: Revue de Metallurgie. Cahiers D'Informations Techniques ; https://hal.science/hal-01854810 ; Revue de Metallurgie. Cahiers D'Informations Techniques, 2013, 109 (6), pp.393-407. ⟨10.1051/metal/2012018⟩, 2013
    academicJournal
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    Synthesis and Studies of Aluminum-Nitrogen, -Phosphorus and Arsenic Cycles and Clusters.
    Guard, Harold E. ; DUKE UNIV DURHAM NC DEPT OF, CHEMISTRY
    In: DTIC AND NTIS, 1996
    academicJournal
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    Synthesis and Characterization of Aluminum-Phosphorus Adducts: X-Ray Crystal Structures of Cl3Al(dot)P(SiMe3)3(dot)C7H8 and Br3Al(dot)P(SiMe3)3(dot) C7H8
    Wells, Richard L. ; McPhail, Andrew T. ; et al.
    In: DTIC AND NTIS, 1994
    academicJournal
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