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    Assessment of 28 nm UTBB FD-SOI technology platform for RF applications: Figures of merit and effect of parasitic elements.
    Kazemi Esfeh, B. ; Kilchytska, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 117 (2016-03-01), S. 130-137
    Online academicJournal
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    Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM.
    Almeida, Luciano Mendes ; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 90 (2013-12-01), S. 149-154
    Online academicJournal
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    UTBB SOI MOSFETs analog figures of merit: Effects of ground plane and asymmetric double-gate regime.
    Md Arshad, M.K. ; Makovejev, S. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 90 (2013-12-01), S. 56-64
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Study of substrate orientations impact on Ultra Thin Buried Oxide (UTBOX) FDSOI High-K Metal gate technology performances.
    Ben Akkez, Imed ; Fenouillet-Beranger, Claire ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 90 (2013-12-01), S. 143-148
    Online academicJournal
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    An, Xia ; Huang, Ru ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), Heft 3, S. 479-483
    Online academicJournal
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS
    Schulz, T. ; Pacha, C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-04-01), Heft 4, S. 521-527
    Online academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects.
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
    Online academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 57 (2011-03-01), Heft 1, S. 61-66
    Online academicJournal
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    An accurate simulation study on capacitance-voltage characteristics of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in novel structures.
    Yu, Eunseon ; Cho, Seongjae ; et al.
    In: Physica B, Jg. 521 (2017-09-15), S. 305-311
    Online academicJournal
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    A review of the mechanical stressors efficiency applied to the ultra-thin body & buried oxide fully depleted silicon on insulator technology.
    Morin, Pierre ; Maitrejean, Sylvain ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 117 (2016-03-01), S. 100-116
    Online academicJournal
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    Optical characterization of polysilazane based silica thin films on silicon substrates.
    Ricci, Pier Carlo ; Gulleri, Gianluca ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 265 (2013-01-15), S. 470-474
    Online academicJournal
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    A novel source/drain on void (SDOV) MOSFET implemented by local co-implantation of hydrogen and helium
    Wu, Dake ; Huang, Ru ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 85 (2008-07-01), Heft 7, S. 1490-1494
    Online academicJournal
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    Impact of processing and back-gate biasing conditions on the low-frequency noise of ultra-thin buried oxide silicon-on-insulator nMOSFETs.
    Kudina, V. ; Garbar, N. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 105 (2015-03-01), S. 37-44
    Online academicJournal
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    On the extension of ET-FDSOI roadmap for 22nm node and beyond.
    Sampedro, C. ; Gámiz, F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 90 (2013-12-01), S. 23-27
    Online academicJournal
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    Moore’s crystal ball: Device physics and technology past the 15nm generation
    Kuhn, Kelin J.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-07-01), Heft 7, S. 1044-1049
    Online academicJournal
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    Epitaxial engineered solutions for ITRS scaling roadblocks
    Harper, Robert
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 134 (2006-10-15), Heft 2/3, S. 154-158
    Online academicJournal
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    Theoretical foundations of the quantum drift-diffusion and density-gradient models
    Baccarani, Giorgio ; Gnani, Elena ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-04-01), Heft 4, S. 526-532
    Online academicJournal
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    Electrosynthesis and characterization of polymer films on silicon substrates for applications in micromanipulation
    Cot, A. ; Lakard, S. ; et al.
    In: Synthetic Metals, Jg. 162 (2012-12-31), Heft 24, S. 2370-2378
    Online academicJournal
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    Multi-asperity nanotribological behavior of single-crystal silicon: Crystallography-induced anisotropy in friction and wear
    Stempflé, Philippe ; Takadoum, Jamal
    In: Tribology International, Jg. 48 (2012-04-01), S. 35-43
    Online academicJournal
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    Silicon oxynitride thin films synthesised by the reactive gas pulsing process using rectangular pulses
    Aubry, E. ; Weber, S. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 257 (2011-09-15), Heft 23, S. 10065-10071
    Online academicJournal
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