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    Deposition of GaN films on (1 1 1) Si substrates by alternate supply of TMG and NH<subscript>3</subscript>
    Gong, Jyh-Rong ; Yeh, Ming-Fa ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 24 (2004), Heft 4, S. 615-619
    Online academicJournal
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    New Protic Ionic Liquids as Potential Additives to Lubricate Si-Based MEMS/NEMS.
    Donato, Mariana T. ; Deuermeier, Jonas ; et al.
    In: Molecules, Jg. 28 (2023-03-15), Heft 6, S. 2678-2693
    Online academicJournal
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    Selective Area Heteroepitaxy of p-i-n Junction GaP Nanopillar Arrays on Si (111) by MOCVD.
    Choi, Wonsik ; Huang, Hsien-Chih ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 58 (2022-08-01), Heft 4, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Improving the Lubrication of Silicon Surfaces Using Ionic Liquids as Oil Additives: The Effect of Sulfur-Based Functional Groups.
    Antunes, Mónica ; Donato, Mariana T. ; et al.
    In: Tribology Letters, Jg. 68 (2020-06-01), Heft 2, S. 1-14
    Online academicJournal
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    Rapid Grafting of Azido-Labeled Oligo(ethylene glycol)s onto an Alkynyl-Terminated Monolayer on Nonoxidized Silicon via Microwave-Assisted â€Click” Reaction.
    Li, Yan ; Wang, Jun ; et al.
    In: Langmuir, Jg. 27 (2011-03-15), Heft 6, S. 2437-2445
    Online academicJournal
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    Photoluminescence studies on Si-doped GaAs/Ge.
    Hudait, M.K. ; Modak, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 83 (1998-04-15), Heft 8, S. 4454-4461
    Online academicJournal
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    Biofunctionalization on Alkylated Silicon Substrate Surfaces via "Click" Chemistry.
    Qin, Guoting ; Santos, Catherine ; et al.
    In: Journal of the American Chemical Society, Jg. 132 (2010-11-24), Heft 46, S. 16432-16441
    Online academicJournal
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    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE
    Deura, Momoko ; Kondo, Yoshiyuki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-04-01), Heft 8, S. 1353-1358
    Online academicJournal
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    RF plasma deposition of thin Si<subscript>x</subscript>Ge<subscript>y</subscript>C<subscript>z</subscript>:H films using a combination of organometallic source materials
    Rapiejko, C. ; Gazicki-Lipman, M. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 469/470 (2004-12-22), S. 173-177
    Online academicJournal
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    n-GaP/p-Si Heterojunction Solar Cells Fabricated by PE-ALD.
    Gudovskikh, Alexander S. ; Uvarov, Alexander V. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 14 (2017-10-01), Heft 10, S. n/a- (5S.)
    academicJournal
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    Deep silicon etch for TSVs with improved via profile/process control.
    Eaton, Brad ; Kumar, Ajay ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 52 (2009-04-01), Heft 4, S. 22-24
    academicJournal
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    Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD.
    Um, Dae-Young ; Mandal, Arjun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 18 (2016-01-21), Heft 3, S. 480-487
    Online academicJournal
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    Electronic passivation of silicon surfaces by thin films of atomic layer deposited gallium oxide.
    Allen, T. G. ; Cuevas, A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-07-21), Heft 3, S. 1-4
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effect of compositionally graded AlGaN buffer layer grown by different functions of trimethylaluminum flow rates on the properties of GaN on Si (111) substrates.
    Yang, Yibin ; Xiang, Peng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 376 (2013-08-01), S. 23-27
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Chemical characterization of gallium droplets grown by LP-MOCVD
    Imhoff, L. ; Heintz, O. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 253 (2006-12-30), Heft 5, S. 2820-2824
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Precursor flow rate manipulation for the controlled fabrication of twin-free GaAs nanowires on silicon substrates.
    Kang, J. H. ; Gao, Q. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 23 (2012-10-19), Heft 41, S. 1-1
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Strain relaxation in patterned strained silicon directly on insulator structures.
    Lei, R. Z. ; Tsai, W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-12-19), Heft 25, S. 251926-251928
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