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    Structural and optical properties of transparent, tunable bandgap semiconductor: α-(AlxCr1−x)2O3.
    Jangir, Ravindra ; Srihari, Velaga ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-10-07), Heft 13, S. 1-13
    Online academicJournal
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    Structural and electronic properties of Fe(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)3 system.
    Mondal, Debashis ; Kamal, C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-10-28), Heft 16, S. 165102-1- (6S.)
    Online academicJournal
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    Biaxial and uniaxial strain effects on the ultraviolet emission efficiencies of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N films with different Al concentrations.
    Fu, D. Y. ; Zhang, R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-11-15), Heft 10, S. 103107-103111
    Online academicJournal
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    Growth and characteristics of Ni-based Schottky-type Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N ultraviolet photodetectors with AlGaN/GaN superlattices.
    Ki Yon Park ; Bong Joon Kwon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-12-15), Heft 12, S. 124505-124508
    Online academicJournal
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    Electrical characteristics of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N Schottky diodes prepared by a two-step surface treatment.
    Motayed, Abhishek ; Sharma, Ashok ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-09-15), Heft 6, S. 3286-3295
    Online academicJournal
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    Direct enumeration studies of band-gap properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>y</subscript>In<subscript>1-x-y</subscript>P alloys.
    Jungthawan, Sirichok ; Limpijumnong, Sukit ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-06-15), Heft 12, S. 123531-1- (9S.)
    Online academicJournal
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    Intersubband transitions in asymmetric Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN double quantum wells.
    Lei, S. Y. ; Shen, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-06-15), Heft 12, S. 123108-123112
    Online academicJournal
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    Al composition dependence of Schottky barrier heights and conduction band offsets of AlxIn1-xP/Ga0.47In0.53As on InP.
    Zhu, Yu ; Ishimaru, Yoshiteru ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-08-01), Heft 3, S. 1617-1622
    Online academicJournal
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    Consistent formula for the refractive index of AlxGa1-xAs below the band edge.
    Deri, R. J. ; Emanuel, M. A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995-05-01), Heft 9, S. 4667-4672
    Online academicJournal
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    Wet thermal oxidation of AlxGa1-xAs compounds.
    Burton, R. S. ; Schlesinger, T. E.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 76 (1994-11-01), Heft 9, S. 5503-5507
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    Optical study of (AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaAs semiconductor alloys by spectroscopic ellipsometry.
    Lee, H. ; Klein, M. V. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 73 (1993), Heft 1, S. 400-406
    Online academicJournal
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    N vacancies in AlxGa1-xN.
    Jenkins, David W. ; Dow, John D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 72 (1992-11-01), Heft 9, S. 4130-4133
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    SiAs related photoluminescence emissions in low-temperature AlxGa1-xAs grown by molecular beam epitaxy.
    Souza, P. L. ; Rao, E. V. K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 72 (1992-08-15), Heft 4, S. 1498-1501
    Online academicJournal
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    Donor-related deep levels in heavily Se-doped AlxGa1-xAs.
    Kajikawa, Y.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-02-01), Heft 3, S. 1429-1434
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    A comparison of the amorphization induced in AlxGa1-xAs and GaAs by heavy-ion irradiation.
    Jencˇicˇ, I. ; Bench, M. W. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-02-01), Heft 3, S. 1287-1293
    Online academicJournal
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    The gas source molecular beam epitaxial growth of AlxGa1-xP on (100) GaP.
    Baillargeon, J. N. ; Cheng, K. Y. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 68 (1990-09-01), Heft 5, S. 2133-2139
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    Optical constants of AlxGa1-xAs.
    Jenkins, David W.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 68 (1990-08-15), Heft 4, S. 1848-1853
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    Stimulated emission in indirect gap AlxGa1-xAs.
    Kalt, H. ; Smirl, Arthur L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 65 (1989), Heft 1, S. 294-299
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    Temperature dependence of photoluminescence spectra of the pentanary alloy semiconductor (AlxGa1-x)1-zInzPyAs1-y.
    Emura, Shuichi ; Sumida, Hitoshi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 64 (1988-09-15), Heft 6, S. 3292-3295
    Online academicJournal
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    Properties of high-purity AlxGa1-xAs grown by the metalorganic vapor-phase-epitaxy technique using methyl precursors.
    Kuech, T. F. ; Wolford, D. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 62 (1987-07-15), Heft 2, S. 632-643
    Online academicJournal
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