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    Ultrahigh doping of GaAs by carbon during metalorganic molecular beam epitaxy.
    Abernathy, C. R. ; Pearton, S. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-10-23), Heft 17, S. 1750-1752
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Heavy carbon doping of metalorganic chemical vapor deposition grown GaAs using carbon tetrachloride.
    Cunningham, B. T. ; Haase, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-05-08), Heft 19, S. 1905-1907
    Online academicJournal
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