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    Investigation of Self-Heating Effects in UTBB FD-SOI MOSFETs by a Modified Thermal Conductivity Model.
    Xing, Qian ; Su, Yali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4129-4137
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    Online academicJournal
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    Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies—Part II: DC and AC Model Description.
    Poiroux, Thierry ; Rozeau, O. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-09-01), Heft 9, S. 2760-2768
    Online academicJournal
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    Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies—Part I: Interface Potentials Analytical Model.
    Poiroux, T. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-09-01), Heft 9, S. 2751-2759
    Online academicJournal
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    Impact of Floating Body Effect, Back-Gate Traps, and Trap-Assisted Tunneling on Scaled In0.53Ga0.47As Ultrathin-Body MOSFETs and Mitigation Measures.
    Sant, Saurabh ; Aguirre, Paulina ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-06-01), Heft 6, S. 2578-2584
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    Compact Modeling of Negative-Capacitance FDSOI FETs for Circuit Simulations.
    Dabhi, Chetan Kumar ; Parihar, Shivendra Singh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 2710-2716
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    Charge-Based Model for Ultrathin Junctionless DG FETs, Including Quantum Confinement.
    Shalchian, Majid ; Jazaeri, Farzan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-09-01), Heft 9, S. 4009-4014
    Online academicJournal
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    Experimental gm/{I}{D} Invariance Assessment for Asymmetric Double-Gate FDSOI MOSFET.
    El Ghouli, Salim ; Rideau, Denis ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 11-18
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    Double-Gate Negative-Capacitance MOSFET With PZT Gate-Stack on Ultra Thin Body SOI: An Experimentally Calibrated Simulation Study of Device Performance.
    Saeidi, Ali ; Stolichnov, Igor ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4678-4684
    Online academicJournal
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    Analytic Potential and Charge Model of Semiconductor Quantum Wells.
    Marin, E. G. ; Tienda-Luna, I. M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 12, S. 4186-4191
    Online academicJournal
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    Analytical Compact Model for Lightly Doped Nanoscale Ultrathin-Body and Box SOI MOSFETs With Back-Gate Control.
    Karatsori, Theano A. ; Tsormpatzoglou, Andreas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-10-01), Heft 10, S. 3117-3124
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    Drain-Current Flicker Noise Modeling in nMOSFETs From a 14-nm FDSOI Technology.
    Ioannidis, Eleftherios G. ; Theodorou, Christoforos G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-05-01), Heft 5, S. 1574-1579
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    Analytical Modeling of Threshold Voltage and Interface Ideality Factor of Nanoscale Ultrathin Body and Buried Oxide SOI MOSFETs With Back Gate Control.
    Fasarakis, Nikolaos ; Karatsori, Theano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-04-01), Heft 4, S. 969-975
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