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    Investigation of Self-Heating Effects in UTBB FD-SOI MOSFETs by a Modified Thermal Conductivity Model.
    Xing, Qian ; Su, Yali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4129-4137
    Online academicJournal
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    Mobility Improvement Study for 8-Å-EOT HfO2 UTBB-FD-SOI MOSFET Based on the Direct Extraction of the Back-Channel Mobility.
    Trojman, Lionel ; Ragnarsson, Lars-Ake ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-11-01), Heft 11, S. 3632-3638
    Online academicJournal
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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo.
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
    Online academicJournal
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    Impact of back biasing on carrier transport in ultra-thin-body and BOX (UTBB) Fully Depleted SOI MOSFETs.
    Xu, Nuo ; Andrieu, Francois ; et al.
    In: 2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT), 2012, S. 113-114
    Online Konferenz
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    Proposal and Experimental Demonstration of Ultrathin-Body (111) InAs-On-Insulator nMOSFETs With L Valley Conduction.
    Sumita, Kei ; Toprasertpong, Kasidit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2003-2009
    Online academicJournal
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    Physical Mechanisms of Mobility Enhancement in Ultrathin Body GeOI pMOSFETs Fabricated by HEtero-Layer-Lift-Off Technology.
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-03-01), Heft 3, S. 1182-1188
    Online academicJournal
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    Experimental investigation on direction dependence of Si (100) and Si (110) hole mobility in ultra-thin body pFETs.
    Kutsuki, Tomohiro ; Shimizu, Ken ; et al.
    In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012, S. 85-88
    Online Konferenz
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    Impact of substrate orientation on Ultra Thin BOX Fully Depleted SOI electrical performances.
    Ben Akkez, I. ; Fenouillet-Beranger, C. ; et al.
    In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012, S. 177-180
    Online Konferenz
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    Post-Si-CMOS Devices - Scaling FETs to (Beyond?) 10 nm: From Semiclassical to Quantum Models.
    Fischetti, Massimo V.
    In: 2012 International Silicon-Germanium Technology & Device Meeting (ISTDM), 2012, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Surface roughness limited mobility modeling in ultra-thin SOI and quantum well III-V MOSFETs.
    Lizzit, Daniel ; Esseni, David ; et al.
    In: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting, 2013, S. 5.2.1
    Online Konferenz
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