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    Magnesium diffusion profile in GaN grown by MOVPE
    Benzarti, Z. ; Halidou, I. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-07-01), Heft 14, S. 3274-3277
    Online academicJournal
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    Thickness-dependent physical and nanomechanical properties of [formula omitted] thin films.
    Boughrara, N. ; Benzarti, Z. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 151 (2022-11-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing.
    Shin, In-Su ; Lee, Donghyun ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 118-123
    Online academicJournal
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    The influence of residual GaN on two-step-grown GaN on sapphire.
    Peng, Liyuan ; Liu, Shuangtao ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 135 (2021-11-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    High-quality a-plane GaN grown with flow-rate modulation epitaxy on r-plane sapphire substrate
    Huang, Jeng-Jie ; Tang, Tsung-Yi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-05-15), Heft 11, S. 2712-2716
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    Influence of sapphire annealing in trimethylgallium atmosphere on GaN epitaxy by MOCVD
    Grzegorczyk, A.P. ; Hageman, P.R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 283 (2005-09-15), Heft 1/2, S. 72-80
    Online academicJournal
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    A study of Indium incorporation efficiency in InGaN grown by MOVPE
    Bosi, Matteo ; Fornari, Roberto
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 265 (2004-05-01), Heft 3/4, S. 434-439
    Online academicJournal
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    A new growth method of semi-insulating GaN layer for HEMT structure by eliminating degenerate layer at GaN/sapphire interface.
    Shin, In-Su ; Kim, Donghyun ; et al.
    In: Current Applied Physics, Jg. 15 (2015-09-02), S. S11
    Online academicJournal
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