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    Electron transport in two dimensional electron gas formed at the heterojunction of AlxGa(1−x)N/GaN at microwave frequencies
    Chakraborty, A. ; Sarkar, C.K.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 50, issue 7, page 965-970 ; ISSN 0026-2714, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The application of polyimide/silicon nitride dual passivation to AlxGa1−xN/GaN high electron mobility transistors
    Lau, W.S. ; Gunawan, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 48, issue 2, page 187-192 ; ISSN 0026-2714, 2008
    academicJournal
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    Deposition and Auger analysis of deposited SiO2 on AlxGa1 − xAs. I
    In: Microelectronics Reliability ; volume 13, issue 4, page 250 ; ISSN 0026-2714, 1974
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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