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    Estimation of Muon-Induced SEU Rates for 65-nm Bulk and UTBB-SOI SRAMs.
    Manabe, Seiya ; Watanabe, Yukinobu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1398-1403
    Online academicJournal
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    Quasi-Schottky-Barrier UTBB SOI MOSFET for Low-Power Robust SRAMs.
    Ghanatian, Hamdam ; Hosseini, Seyed Ebrahim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-04-01), Heft 4, S. 1575-1582
    Online academicJournal
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    Endurance of One Transistor Floating Body RAM on UTBOX SOI.
    Aoulaiche, Marc ; Bravaix, Alain ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 3, S. 801-805
    Online academicJournal
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    SOl Flash Memory Scaling Limit and Design Consideration Based on 2-D Analytical Modeling.
    Chan, Alain Chun Keung ; Man, Tsz-Yin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-12-01), Heft 12, S. 2054-2060
    Online academicJournal
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    Junction Field Effect on the Retention Time for One-Transistor Floating-Body RAM.
    Aoulaiche, Marc ; Nicoletti, Talitha ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-08-01), Heft 8, S. 2167-2172
    Online academicJournal
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    Energy-Efficient Near-Threshold Parallel Computing: The PULPv2 Cluster.
    Rossi, Davide ; Pullini, Antonio ; et al.
    In: IEEE Micro, Jg. 37 (2017-09-01), Heft 5, S. 20-31
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Hardened and Mitigation Strategies in Deep Submicrometer CMOS and Beyond.
    Chatzikyriakou, Eleni ; Morgan, Katrina ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 808-819
    Online academicJournal
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    Impact of Back-Gate Bias and Device Geometry on the Total Ionizing Dose Response of 1-Transistor Floating Body RAMs.
    Mahatme, N. N. ; Zhang, E. X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2966-2973
    Online academicJournal
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