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    Impact of Aging Degradation on Heavy-Ion SEU Response of 28-nm UTBB FD-SOI Technology.
    Mounir Mahmoud, M. ; Prinzie, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 1865-1875
    Online academicJournal
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    Influence of Supply Voltage and Body Biasing on Single-Event Upsets and Single-Event Transients in UTBB FD-SOI.
    de Boissac, Capucine Lecat-Mathieu ; Abouzeid, Fady ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 850-856
    Online academicJournal
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    Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology.
    Cai, Chang ; Chen, Gengsheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 374-381
    Online academicJournal
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    Estimation of Muon-Induced SEU Rates for 65-nm Bulk and UTBB-SOI SRAMs.
    Manabe, Seiya ; Watanabe, Yukinobu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1398-1403
    Online academicJournal
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    Negative and Positive Muon-Induced Single Event Upsets in 65-nm UTBB SOI SRAMs.
    Manabe, Seiya ; Watanabe, Yukinobu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1742-1749
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    Single-Event Transient Space Characterizations in 28-nm UTBB SOI Technologies and Below.
    de Boissac, Capucine Lecat-Mathieu ; Abouzeid, Fady ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021), Heft 1, S. 21-26
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    Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors.
    Zheng, Qiwen ; Cui, Jiangwei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 702-709
    Online academicJournal
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    Analysis of Soft Error Rates in 65- and 28-nm FD-SOI Processes Depending on BOX Region Thickness and Body Bias by Monte-Carlo Based Simulations.
    Zhang, Kuiyuan ; Umehara, Shigehiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2002-2009
    Online academicJournal
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    Impact of SOI Substrate on the Radiation Response of UltraThin Transistors Down to the 20 nm Node.
    Gaillardin, Marc ; Martinez, Martial ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2583-2589
    Online academicJournal
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    Impact of SOI Substrate on the Radiation Response of UltraThin Transistors Down to the 20 nm Node.
    Gaillardin, Marc ; Martinez, Martial ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2583-2589
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Effects Mitigation Strategy for Nanoscaled FDSOI Technologies.
    Gaillardin, M. ; Martinez, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3023-3029
    Online academicJournal
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    Impact of Back-Gate Bias and Device Geometry on the Total Ionizing Dose Response of 1-Transistor Floating Body RAMs.
    Mahatme, N. N. ; Zhang, E. X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2966-2973
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