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    Study of a Semiconductor Disk Laser with a Wavelength of 780 nm Based on a Heterostructure with Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>As/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>y</subscript>As Quantum Wells under Optical Pumping with Different Radiation Wavelengths
    Kozlovskii, V. I. ; Zhenishbekov, S. M. ; et al.
    In: Bulletin of the Lebedev Physics Institute, Jg. 50 (2023-12-01), Heft Suppl 12, S. S1348- (8S.)
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Theoretical investigation of optical intersubband transitions and infrared photodetection in β-(AlxGa1 − x)2O3/Ga2O3 quantum well structures.
    Lyman, Joseph E. ; Krishnamoorthy, Sriram
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 127 (2020-05-07), Heft 17, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Intersubband resonant enhancement of second order-nonlinear susceptibility in asymmetric Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN double quantum wells.
    Saidi, Imen
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-10-07), Heft 13, S. N.PAG- (13S.)
    Online academicJournal
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    Medium wavelength infrared detector with diffused AlxIn/sub 1-x/Sb/InSb quantum-well structure
    Sim, S.K.H. ; Mutamba, K. ; et al.
    In: Proceedings 1998 Hong Kong Electron Devices Meeting (Cat. No.98TH8368), 1998, S. 18-21
    Online Konferenz
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    Contribution of inter-valley scattering in governing the steady state optical spin orientation in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As.
    Mudi, Priyabrata ; Khamari, Shailesh K ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 54 (2021-12-09), Heft 49, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Design and demonstration of Al<subscript>x</subscript>In<subscript>1−x</subscript>P multiple quantum well light-emitting diodes.
    Alberi, Kirstin ; Pokharel, Nikhil ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 54 (2021-09-16), Heft 37, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Red emitting Sm(II) phosphors: thermally switchable luminescence in Sm(AlX<subscript>4</subscript>)<subscript>2</subscript> (X = Cl, Br) by 5d–4f and intra-4f transitions.
    Schäfer, T. C. ; Sorg, J. R. ; et al.
    In: Chemical Communications, Jg. 57 (2021-11-21), Heft 90, S. 11984-11987
    Online academicJournal
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    Study of a Semiconductor Disk Laser with a Wavelength of 780 nm Based on a Heterostructure with Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>As/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>y</subscript>As Quantum Wells under Optical Pumping with Different Radiation Wavelengths
    Kozlovskii, V. I. ; Zhenishbekov, S. M. ; et al.
    In: Bulletin of the Lebedev Physics Institute, Jg. 50 (2023-12-05), S. S1348- (8S.)
    Online academicJournal
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    Linear and nonlinear optical absorption coefficients and refractive index changes in GaN/Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>(1-x)</subscript>N double quantum wells operating at 1:55 μm.
    Dakhlaoui, Hassen
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-04-07), Heft 13, S. 135705-1- (9S.)
    Online academicJournal
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    Suppression of the quantum-confined Stark effect in AlxGa1-xN/AlyGa1-yN corrugated quantum wells.
    Toropov, A. A. ; Shevchenko, E. A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-09-28), Heft 12, S. 124306-124311
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    Optical absorptions in AlxGa1-xAs/GaAs quantum well for solar energy application.
    Yang, X. F. ; Liu, Y. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 112 (2012-09-01), Heft 5, S. 54314-54318
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    Influence of polarization-induced electric field on the wavelength and the absorption coefficient of the intersubband transitions in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN double quantum wells.
    Lei, S. Y. ; Shen, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-04-01), Heft 7, S. 74501-74505
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    Enhancement of multisubband electron mobility in parabolic AlxGa1-xAs-GaAs double quantum well structures.
    Sahu, Trinath ; Palo, Sangeeta ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-02-28), Heft 8, S. 83704-83712
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    Wavelength tuning in the purple wavelengths using strain-controlled AlxGa1–xN/GaN disk-in-wire structures.
    Chung, Kunook ; Pandey, Ayush ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-01-27), Heft 4, S. 1-4
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    Effect of parabolic structure potentials on electron mobility in AlxGa1-xAs quantum well based field effect transistor structure.
    Sahu, Ajit Kumar ; Sahoo, Narayan
    In: Micro & Nanostructures, Jg. 184 (2023-12-01), S. N.PAG
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    Quantum-well AlxGa1 - xAs-GaAs heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Dupuis, R. ; Dapkus, P. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 15 (1979-08-01), Heft 8, S. 756-761
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