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    Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium.
    Rigal, B. ; Jarlov, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 187-191
    Online academicJournal
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    Growth of In <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> N quantum dots by nitridation of nano-alloyed droplet method using MOCVD
    Song, Heon ; Lee, Seon-Ho ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-09-15), Heft 19, S. 4418-4422
    Online academicJournal
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    EFFECT OF CAPPING LAYER ON In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N QUANTUM DOTS GROWN USING NNAD METHOD BY MOCVD.
    SONG, HEON ; NAVAMATHAVAN, R. ; et al.
    In: International Journal of Nanoscience, Jg. 8 (2009-02-01), Heft 1/2, S. 197-201
    academicJournal
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    Morphology and Optical Properties of Self-Assembled In<subscript>0.5</subscript>Ga<subscript>0.5</subscript>As Quantum Dots with Different Spacer Layer Thickness.
    Aryanto, Didik ; Ismail, Abd. Khamim ; et al.
    In: Tsinghua Science & Technology, Jg. 15 (2010-10-01), Heft 5, S. 534-539
    Online serialPeriodical
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