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    Contribution of Secondary Alpha Particles to Soft Error Rates in Space Systems
    Cadena, R.M. ; Warren, K.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 535-541
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    GLEs as a Warning Tool for Radiation Effects on Electronics and Systems: A New Alert System Based on Real-Time Neutron Monitors
    Mavromichalaki, H. ; Plainaki, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-08-01), Heft 4, S. 1082-1088
    Online academicJournal
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    Comparison of X-Ray and Electron Radiation Effects on Dark Current Non-Uniformity and Fluctuations in CMOS Image Sensors
    Le Roch, A. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 268-277
    Online academicJournal
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    Performance of the SLD Warm Iron Calorimeter Prototype
    Callegari, G. ; Piemontese, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 33 (1986-02-01), Heft 1, S. 201
    Online academicJournal
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    The Contribution of Low-Energy Protons to the Total On-Orbit SEU Rate
    Dodds, N. A. ; Martinez, M. J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6, S. 2440-2451
    Online academicJournal
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    Proton Irradiation as a Screen for Displacement-Damage Sensitivity in Bipolar Junction Transistors
    Arutt, C. N. ; Warren, K. M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6, S. 2498-2504
    Online academicJournal
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    Ion-Induced Charge-Collection Transients in p-Channel AlGaSb/InGaSb Heterojunction Field-Effect Transistors
    Warner, J. H. ; McMorrow, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1510-1515
    Online academicJournal
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    Proton-Induced Transient Charge Collection in GaAs and InAlSb/InAs-Based FETs
    Warner, J. H. ; McMorrow, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-08-01), Heft 4, S. 2651-2659
    Online academicJournal
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    Simulating the Radiation Response of GaAs Solar Cells Using a Defect-Based TCAD Model
    Turowski, M. ; Bald, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-08-01), Heft 4, S. 2477-2485
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Proton Irradiation of Ultraviolet 4H-SiC Single Photon Avalanche Diodes
    Hu, J. ; Xin, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3343-3347
    Online academicJournal
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    Incremental Enhancement of SEU Hardened 90 nm CMOS Memory Cell
    Haddad, N. F. ; Kelly, A. T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-01), Heft 3, S. 975-980
    Online academicJournal
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    Probing the Nature of Intermittently Stuck Bits in Dynamic RAM Cells
    Chugg, A. M. ; McIntosh, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3190-3198
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    A Deep Level Transient Spectroscopy Study of Electron and Proton Irradiated ${\hbox {p}} ^{+} {\hbox {n}}$ GaAs Diodes
    Warner, J. H. ; Cress, C. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 1940-1945
    Online academicJournal
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    Predicting Muon-Induced SEU Rates for a 28-nm SRAM Using Protons and Heavy Ions to Calibrate the Sensitive Volume Model
    Trippe, J.M. ; Reed, R.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 712-712
    Online academicJournal
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    The Random Telegraph Signal Behavior of Intermittently Stuck Bits in SDRAMs
    Chugg, A. M. ; Burnell, A. J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 6, S. 3057-3064
    Online academicJournal
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    Impact of Low-Energy Proton Induced Upsets on Test Methods and Rate Predictions
    Sierawski, B. D. ; Pellish, J. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 6, S. 3085-3092
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of Proton and Silicon Ion Irradiation on Defect Formation in GaAs
    Warner, J. H. ; Inguimbert, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3016-3024
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    Impact of Heavy Ion Energy and Nuclear Interactions on Single-Event Upset and Latchup in Integrated Circuits
    Dodd, P. E. ; Schwank, J. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2303-2311
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Generalized SiGe HBT Single-Event Effects Model for On-Orbit Event Rate Calculations
    Pellish, J. A. ; Reed, R. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2322-2329
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Displacement Damage Evolution in GaAs Following Electron, Proton and Silicon Ion Irradiation
    Warner, J. H. ; Messenger, S. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 1961-1968
    Online academicJournal
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