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    Simulation Of ULSI Silicon MOSFETs
    Pinto, M.R. ; Bude, J. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 22-25
    Online Konferenz
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    Modelling Of Surface Reactions For Predicting Dry-etched Profiles
    Harafuji, K. ; Misaka, A. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 76-79
    Online Konferenz
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    A New Hydrodynamic Model For High Energy Tail Electrons
    Ahn, Jae-gyung ; Park, Young-june ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 28-29
    Online Konferenz
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    A Unified Model For The Simulation Of Small-geometry Devices
    Fierantoni, A. ; Ciampolini, P. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 26-27
    Online Konferenz
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    A Physics-based Model For Transient Diffusion Of Dopants In Si
    Cowern, N.E.B.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 50-51
    Online Konferenz
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    MASTAR - A Model For Analog Simulation Of Subthreshold, Saturation And Weak Avalanche Regions In MOSFETs
    Skotnicki, T. ; Merckel, G. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 146-147
    Online Konferenz
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    Lifetime Prediction Model For Analog Devices Based On Drain Conductance Degradation Due To Hot Carrier Injection
    Kurachi, I. ; Hwang, Nam ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 130-131
    Online Konferenz
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    Anomalous Short-channel Body Coefficients Due To Transient Enhanced Diffusion
    Rafferty, C.S. ; Giles, M. D. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 148-149
    Online Konferenz
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    A New Consistent Description Of MOSFET Performance For Circuit Simulation
    Miura-Mattausch, M. ; Bergner, W.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 134-135
    Online Konferenz
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    Modeling And Simulation Of Anomalous Degradation Of Subb-um NMOS's Current-driving Due To Velocity-saturation Effect
    Tsuneno, K. ; Sato, H. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 152-153
    Online Konferenz
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    Unified Set Of Models For Minority Carrier Transport Parameters In Heavily Doped Monosilicon And Polysilicon
    Johnson, M. ; Strojwas, A.J. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 178-179
    Online Konferenz
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    A Simple Hot Electron Transport Model And Its Prediction Of Si-SiO/sub 2/ Injection Probability
    Jin, Gyo-young ; Park, Young-june ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 166-167
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    A Non-local Formulation Of Impact Ionization For Silicon
    Scrobohaci, P. ; Tang, Ting-wei
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 172-173
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