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    Flexible fast responding solar-blind photodetectors based on (TmGa)2O3 films grown on mica
    Qu, Qiulin ; Liu, Qi ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 120, issue 12 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2022
    academicJournal
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    Pressure effect on the Fermi surface and electronic structure of LuGa3 and TmGa3
    Pluzhnikov, V. B. ; Grechnev, G. E. ; et al.
    In: Low Temperature Physics ; volume 31, issue 3, page 313-320 ; ISSN 1063-777X 1090-6517, 2005
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    An exact conformal symmetry Ansatz on Kaluza-Klein reduced TMG
    Moutsopoulos, George ; Ritter, Patricia
    In: General Relativity and Gravitation ; volume 43, issue 11, page 3047-3063 ; ISSN 0001-7701 1572-9532, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Determination of the excess surface arsenic concentration in the metalorganic molecular beam epitaxial growth of GaAs using TMGa and As2
    Kaneko, T. ; Joyce, B. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 67, issue 7, page 998-1000 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1995
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    TMGa /TEGa interactions in metalorganic molecular beam epitaxy
    Kamp, M. ; Mörsch, G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 66, issue 3, page 367-369 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1995
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Suppression of in-plane tunneling anisotropic magnetoresistance effect in Co2MnSi/MgO/n-GaAs and CoFe/MgO/n-GaAs junctions by inserting a MgO barrier
    Akiho, Takafumi ; Uemura, Tetsuya ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 98, issue 23 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Temperature dependence of resistance in epitaxial Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions
    Ma, Q. L. ; Wang, S. G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 95, issue 5 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2009
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Detection of the valence band in buried Co2MnSi–MgO tunnel junctions by means of photoemission spectroscopy
    Fecher, Gerhard H. ; Balke, Benjamin ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 92, issue 19 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2008
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Oscillation of giant tunneling magnetoresistance with respect to tunneling barrier thickness in fully epitaxial Fe∕MgO∕Fe magnetic tunnel junctions
    Matsumoto, Rie ; Fukushima, Akio ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 90, issue 25 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2007
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    1.55 μ m emission from InAs quantum dots grown on GaAs
    Hsieh, Tung-Po ; Chiu, Pei-Chin ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 87, issue 15 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2005
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High tunnel magnetoresistance in epitaxial Fe/MgO/Fe tunnel junctions
    Faure-Vincent, J. ; Tiusan, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 82, issue 25, page 4507-4509 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2003
    Online academicJournal
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    High temperature adduct formation of trimethylgallium and ammonia
    Thon, A. ; Kuech, T. F.
    In: Applied Physics Letters ; volume 69, issue 1, page 55-57 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1996
    Online academicJournal
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    Millisecond time-resolved reflectance difference measurements of GaAs grown by short-pulse supersonic nozzle beam epitaxy
    Cui, Jie ; Zhang, Suian ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 64, issue 24, page 3285-3287 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1994
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Structure of (001) GaAs surfaces during epitaxial growth by organometallic chemical vapor deposition
    Kamiya, Itaru ; Tanaka, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 63, issue 23, page 3206-3208 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1993
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Real-time study of the reflection high energy electron diffraction specular beam intensity during atomic layer epitaxy of GaAs
    Maa, B. Y. ; Dapkus, P. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 62, issue 20, page 2551-2553 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1993
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    Use of tertiarybutylarsine in atomic layer epitaxy and laser-assisted atomic layer epitaxy of device quality GaAs
    Chen, Q. ; Beyler, C. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 60, issue 19, page 2418-2420 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1992
    Online academicJournal
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    Selective growth of GaAs wire structures by electron beam induced metalorganic chemical vapor deposition
    Takahashi, T. ; Arakawa, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 60, issue 1, page 68-70 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1992
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    Reactive chemical intermediates in metalorganic chemical vapor deposition of GaAs
    Killeen, K. P.
    In: Applied Physics Letters ; volume 61, issue 15, page 1864-1866 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1992
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    Comparison of gallium and arsenic precursors for GaAs carbon doping by organometallic vapor phase epitaxy using CCl4
    Hobson, W. S. ; Pearton, S. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 60, issue 26, page 3259-3261 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1992
    Online academicJournal
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    High carbon doping efficiency of bromomethanes in gas source molecular beam epitaxial growth of GaAs
    de Lyon, T. J. ; Buchan, N. I. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 58, issue 5, page 517-519 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1991
    Online academicJournal
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