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    Band offsets of AlxGa1−xAs/GaAs heterojunction from atomistic first principles
    Wang, Yin ; Zahid, Ferdows ; et al.
    In: 2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-state Circuits, 2013-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Current-voltage and capacitance-voltage behavior of high-resistivity (AlxGa1-x)yIn1-yP on GaAs.
    Casey, H. C. ; McCalmont, J. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-02-13), Heft 7, S. 650-652
    Online academicJournal
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    Continuous (300 K) photopumped laser operation of AlxGa1-xAs-GaAs quantum well heterostructures grown on strained-layer GaAs on Si.
    Kaliski, R. W. ; Holonyak, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-03-30), Heft 13, S. 836-838
    Online academicJournal
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    SOI : Materials to Systems
    Auberton-Herve, A.J.
    In: International Electron Devices Meeting. Technical Digest, 1996, S. 929-930
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Magnetoresistance of multiple electron gas wires at the AlGaAs/GaAs heterointerface.
    Hundhausen, M. ; Ichiguchi, T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 53 (1988-07-11), Heft 2, S. 110-112
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