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    Growth of InGaAs/GaAsSb type II superlattice for eSWIR photodetector using MOCVD.
    Elias, D.C. ; Shafir, I. ; et al.
    In: Infrared Physics & Technology, Jg. 95 (2018-12-01), S. 199-202
    Online academicJournal
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    An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium.
    Hess, K. ; Dapkus, P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982-11-01), Heft 6, S. 1115-1137
    Online academicJournal
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    Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine.
    Hanna, M. C. ; Lu, Z. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-09-10), Heft 11, S. 1120-1122
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Optical and structural properties of GaAs highly doped with carbon
    Diaz Reyes, Joel
    2012
    academicJournal
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