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    academicJournal
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    Deposition of GaN films on (1 1 1) Si substrates by alternate supply of TMG and NH<subscript>3</subscript>
    Gong, Jyh-Rong ; Yeh, Ming-Fa ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 24 (2004), Heft 4, S. 615-619
    Online academicJournal
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers.
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 15 (2022-10-01), Heft 19, S. 6916-6928
    Online academicJournal
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    Comparison of Triethylgallium and Trimethylgallium Precursors for GaInP Nanowire Growth.
    Alcer, David ; Saxena, Aditya P. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 258 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence.
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-09-01), Heft 9, S. 5138-5143
    Online academicJournal
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    Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cho, Hyung Koun ; Lee, Jeong Yong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-01), Heft 5, S. 2617-2621
    Online academicJournal
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials; Volume 15; Issue 19; Pages: 6916, 2022
    academicJournal
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    Tetramethylguanidine-templated synthesis of aluminophosphate-based microporous crystals with AFI-type structure
    Wang, Jingyuan ; Song, Jiangwei ; et al.
    In: Microporous & Mesoporous Materials, Jg. 117 (2009-01-15), Heft 3, S. 561-569
    Online academicJournal
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    Effect of growth conditions on the Al composition and optical properties of AlxGa1 −xN layers grown by atmospheric-pressure metal organic vapor phase epitaxy.
    Soltani, S. ; Bouzidi, M. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 630 (2017-05-30), S. 2-6
    Online academicJournal
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    Two Lanthanide-Based Metal-Organic Frameworks with Flexible Alicyclic Carboxylate Ligands: Synthesis, Crystal Structures, and Near-Infrared Luminescence Property.
    Zhu, Xian-Dong ; Hang, Zhi-Xi ; et al.
    In: Journal of Inorganic & Organometallic Polymers & Materials, Jg. 22 (2012-09-15), Heft 5, S. 1087-1092
    Online academicJournal
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    Growth of InGaAs/GaAsSb type II superlattice for eSWIR photodetector using MOCVD.
    Elias, D.C. ; Shafir, I. ; et al.
    In: Infrared Physics & Technology, Jg. 95 (2018-12-01), S. 199-202
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Properties of GaN epitaxial layers grown at high growth rates by metalorganic chemical vapor deposition.
    Kokubun, Y. ; Nishio, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001), Heft 1, S. 23-26
    Online academicJournal
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    An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium.
    Hess, K. ; Dapkus, P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982-11-01), Heft 6, S. 1115-1137
    Online academicJournal
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    1.55 μm emission from InAs quantum dots grown on GaAs.
    Hsieh, Tung-Po ; Chiu, Pei-Chin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-10), Heft 15, S. 151903-151905
    Online academicJournal
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    Red emission from Eu-doped GaN luminescent films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pan, M. ; Steckl, A. J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-07), Heft 1, S. 9-11
    Online academicJournal
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    Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for λ > 1.55 μm laser diodes.
    Lin, Tao ; Sun, Hang ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 631 (2015-05-15), S. 283-287
    Online academicJournal
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    Hydrothermal processes for Tm<superscript>3+</superscript> -doped GdV O<subscript>4</subscript> nanocrystalline morphologies and their photoluminescence properties.
    Calderón-Villajos, R. ; Zaldo, C. ; et al.
    In: Physics Procedia, Jg. 8 (2010-12-22), S. 109-113
    academicJournal
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    Studies on the effect of ammonia flow rate induced defects in gallium nitride grown by MOCVD
    Suresh, S. ; Lourdudoss, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-10-15), Heft 21, S. 3151-3155
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    GaSb/AlGaSb COMPOUND SEMICONDUCTORS GROWN BY MOCVD FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS.
    RAMELAN, A. H. ; YAHYA, I. ; et al.
    In: Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials, Jg. 15 (2006-09-01), Heft 3, S. 323-329
    academicJournal
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    Growth of AlGaN and GaN films on Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> substrates and the influence of V/III ratio on the properties of GaN films
    Liao, Wei-Tsai ; Gong, Jyh-Rong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 286 (2006), Heft 1, S. 28-31
    Online academicJournal
    Zugriff:
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