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    Properties of GaN epitaxial layers grown at high growth rates by metalorganic chemical vapor deposition
    Kokubun, Y. ; Nishio, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001), Heft 1, S. 23-26
    Online academicJournal
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    An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium
    Hess, K. L. ; Dapkus, P. D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982-11-01), Heft 6, S. 1115-1137
    Online academicJournal
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    Basic studies of gallium nitride growth on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition and optical properties of deposited layers
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1531-1534
    Online academicJournal
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    Hall effect analysis of high purity p-type GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Kim, M. H. ; Bose, S. S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-09-01), Heft 9, S. 671-679
    Online academicJournal
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    Characterization of Ga<subscript>x</subscript>In<subscript>1−x</subscript>As grown with TMIn
    Kuo, C. P. ; Cohen, R. M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 14 (1985-05-01), Heft 3, S. 231-244
    Online academicJournal
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