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    Effect of TMGa preflow on the properties of high temperature AlN layers grown on sapphire.
    Kirste, Ronny ; Wagner, Markus R. ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 210 (2013-02-01), Heft 2, S. 285-290
    Online academicJournal
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers.
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 15 (2022-10-01), Heft 19, S. 6916-6928
    Online academicJournal
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    Comparison of Triethylgallium and Trimethylgallium Precursors for GaInP Nanowire Growth.
    Alcer, David ; Saxena, Aditya P. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 258 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence.
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-09-01), Heft 9, S. 5138-5143
    Online academicJournal
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    Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cho, Hyung Koun ; Lee, Jeong Yong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-01), Heft 5, S. 2617-2621
    Online academicJournal
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    Two Lanthanide-Based Metal-Organic Frameworks with Flexible Alicyclic Carboxylate Ligands: Synthesis, Crystal Structures, and Near-Infrared Luminescence Property.
    Zhu, Xian-Dong ; Hang, Zhi-Xi ; et al.
    In: Journal of Inorganic & Organometallic Polymers & Materials, Jg. 22 (2012-09-15), Heft 5, S. 1087-1092
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    Properties of GaN epitaxial layers grown at high growth rates by metalorganic chemical vapor deposition.
    Kokubun, Y. ; Nishio, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001), Heft 1, S. 23-26
    Online academicJournal
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    An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium.
    Hess, K. ; Dapkus, P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982-11-01), Heft 6, S. 1115-1137
    Online academicJournal
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    1.55 μm emission from InAs quantum dots grown on GaAs.
    Hsieh, Tung-Po ; Chiu, Pei-Chin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-10), Heft 15, S. 151903-151905
    Online academicJournal
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    Red emission from Eu-doped GaN luminescent films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pan, M. ; Steckl, A. J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-07), Heft 1, S. 9-11
    Online academicJournal
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    GaSb/AlGaSb COMPOUND SEMICONDUCTORS GROWN BY MOCVD FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS.
    RAMELAN, A. H. ; YAHYA, I. ; et al.
    In: Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials, Jg. 15 (2006-09-01), Heft 3, S. 323-329
    academicJournal
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    Basic studies of gallium nitride growth on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition and optical properties of deposited layers.
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1531-1534
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Hall effect analysis of high purity p-type GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Kim, M. ; Bose, S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-09-01), Heft 9, S. 671-679
    Online academicJournal
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    Characterization of GaInAs grown with TMIn.
    Kuo, C. ; Cohen, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 14 (1985-05-01), Heft 3, S. 231-244
    Online academicJournal
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    Vertical GaP nanowires arranged at atomic steps on Si(111) substrates.
    Tateno, K. ; Hibino, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-07-17), Heft 3, S. 33114-33116
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    Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine.
    Hanna, M. C. ; Lu, Z. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-09-10), Heft 11, S. 1120-1122
    Online academicJournal
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