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    The Impacts of Different Electrode Structures on the Device Performance of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 Heterostructure Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors
    Liu, Y. ; Wang, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 1010-1017
    Online academicJournal
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    Performance Analysis of Normally-Off $\beta-(\text{AlxGa} 1-\mathrm{x})_{2} \mathrm{O}_{3} / \text{Ga}_{2} \mathrm{O}_{3}$ High Electron Mobility Transistor (HEMT) With p-GaN Gate and Addon AlGa2O3 Layer
    Mukherjee, Praskandan ; Kashyap, Nitesh ; et al.
    In: 2023 3rd International Conference on Advancement in Electronics & Communication Engineering (AECE), 2023-11-23, S. 779-784
    Online Konferenz
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    ON- and OFF-State Performance of Normally-OFF β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 MODFETs with p-GaN Gate
    Meshram, Ashvinee Deo ; Sengupta, Anumita ; et al.
    In: 2023 IEEE 20th India Council International Conference (INDICON), 2023-12-14, S. 673-678
    Online Konferenz
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    Study on Schottky AlxGa1-xN/GaN IMPATT Diodes for Millimeter-Wave Application
    Dai, Y. ; Dang, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4853-4858
    Online academicJournal
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    The Energy Band Gap of AlxGa1-xN Thin Films as a Function of Al-Mole Fraction
    Ng, S. S. ; Yam, F. K. ; et al.
    In: 2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, 2006-11-01, S. 933
    Online Konferenz
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    Microwave Noise of Hot Electrons in AlxGa1-xAs Channel
    de Murcia, M. ; Richard, E. ; et al.
    In: ESSDERC '94: 24th European Solid State Device Research Conference, 1994-09-01, S. 555
    Online Konferenz
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    Improved Analog Performance of PZT Ferroelectric AlGaN/AlN/GaN E-Mode GR-MOSHEMT
    Khan, Abdul Naim ; Chauhan, Meenakshi ; et al.
    In: 2022 IEEE Delhi Section Conference (DELCON), 2022-02-11, S. 1-5
    Online Konferenz
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    Artificial Neural Network-Based Approach to Modeling Energy Bands of GaN-Based Heterojunction Materials
    Hao, Meilan ; Wei, Shu ; et al.
    In: 2023 International Conference on High Performance Big Data and Intelligent Systems (HDIS), 2023-12-06, S. 71-76
    Online Konferenz
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    Improved Performance of MoS2 Negative-Capacitance Transistors by Using Hf1-xAlxOy as Gate Dielectric Plus NH3-Plasma Treatment
    Xia, Y. ; Liu, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-09-01), Heft 9, S. 4892-4898
    Online academicJournal
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    Optimizing Back Barrier Material Composition and Thickness of Al0.15Ga0.85N/GaN/AlxGa1-xN MIS-HEMT Device Structure for High-Power Enhancement Mode Applications
    L, Lino. ; R, Saravana Kumar. ; et al.
    In: 2024 Second International Conference on Emerging Trends in Information Technology and Engineering (ICETITE), 2024-02-22, S. 1-6
    Online Konferenz
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    Ultrawide Bandgap Nitride Semiconductor Heterojunction Field Effect Transistors
    Lu, Wu
    In: 2022 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), 2022-10-16, S. 99-103
    Online Konferenz
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    Arbitrary Alloy Semiconductor Material Based DG MOSFET for High-Frequency Industrial and Hybrid Consumer Applications
    Gowthaman, Naveenbalaji ; Srivastava, Viranjay M.
    In: 2021 IEEE AFRICON, 2021-09-13, S. 1-5
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    Increasing the Carrier Injection Efficiency of GaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes by Double Al Composition Gradient Last Quantum Barrier and p-Type Hole Supply Layer.
    Wu, Jinxing ; Li, Peixian ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 13 (2021-04-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    One-Volt, Solution-Processed InZnO Thin-Film Transistors.
    Cai, Wensi ; Li, Haiyun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-04-01), Heft 4, S. 525-528
    Online academicJournal
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    Numerical Investigation on the Enhanced Performance of N-Polar AlGaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes With Superlattice p-Type Doping.
    Tao, Hongchang ; Xu, Shengrui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 478-484
    Online academicJournal
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    Stretchable metal oxide thin film transistors on engineered substrate for electronic skin applications
    Romeo, Alessia ; Lacour, Stphanie P.
    In: 2015 37th Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society (EMBC), 2015-08-01, S. 8014-8017
    Online Konferenz
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