Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
50 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Notation".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Publikation

Inhaltsanbieter

50 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Ab initio study of structural parameters and gap bowing in zinc-blende Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N and Al<subscript>x</subscript>In<subscript>1-x</subscript>N alloys.
    Kanoun, M. B. ; Goumri-Said, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-09-15), Heft 6, S. 63710-63714
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    A numerical study of carrier impact ionization in AlxGa1-xN.
    Bellotti, Enrico ; Bertazzi, Francesco
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-05-15), Heft 10, S. 103711-103718
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Influence of ultrathin AlN interlayer on the microstructure and the electrical transport properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Song, J. ; Xu, F. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 106 (2009-10-15), Heft 8, S. 83711-83715
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Microstructural properties and atomic arrangements in GaN/sapphire and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN/sapphire heterostructures.
    Kim, T. W. ; Lee, D. U. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-15), Heft 12, S. 7118-7121
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Weak antilocalization and beating pattern in high electron mobility Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN two-dimensional electron gas with strong Rashba spin-orbit coupling.
    Zhou, W. Z. ; Lin, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-09-01), Heft 5, S. 53703-53707
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Electrical characteristics of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N Schottky diodes prepared by a two-step surface treatment.
    Motayed, Abhishek ; Sharma, Ashok ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-09-15), Heft 6, S. 3286-3295
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Impact of residual carbon on two-dimensional electron gas properties in AlxGa1-xN/GaN heterostructure.
    Chen, Jr-Tai ; Forsberg, Urban ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-05-13), Heft 19, S. 193506-193510
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Room-temperature spin-oriented photocurrent under near-infrared irradiation and comparison of optical means with Shubnikov de-Haas measurements in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Tang, Y. Q. ; Shen, B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-08-13), Heft 7, S. 71920-71922
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Dislocation filtering by Al<subscript>x</subscript>In<subscript>1-x</subscript>Sb/Al<subscript>y</subscript>In<subscript>1-y</subscript>Sb interfaces for InSb-based devices grown on GaAs (001) substrates.
    Mishima, T. D. ; Edirisooriya, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 88 (2006-05-08), Heft 19, S. 191908-191910
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Influence of the illumination on weak antilocalization in an Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructure with strong spin-orbit coupling.
    Zhou, W. Z. ; Lin, T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 93 (2008-12-29), Heft 26, S. 262104-262106
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effects of strain relaxation on bare surface barrier height and two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures.
    Goyal, Nitin ; Fjeldly, Tor A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-01-07), Heft 1, S. 014505-14505
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A study of disorder effects in random (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As)<subscript>n</subscript>(Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-y</subscript>As)<subscript>m</subscript> superlattices embedded in a wide parabolic potential.
    Pusep, Yu. A. ; Mohseni, P. K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-03-15), Heft 11, S. 113106-113108
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Coupled multiphysics, barrier localization, and critical radius effects in embedded nanowire superlattices.
    Prabhakar, Sanjay ; Melnik, Roderick ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-06-28), Heft 24, S. 244306-244317
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The persistent photoconductivity effect in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire and SiC substrates.
    Arslan, Engin ; Bütün, Serkan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-05-15), Heft 10, S. 103701-103707
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Properties of N-polar AlGaN/GaN heterostructures and field effect transistors grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Keller, S. ; Suh, C. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-02-01), Heft 3, S. 33708-33711
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Spin-dependent dwell times of electron tunneling through double- and triple-barrier structures.
    Erić, Marko ; Radovanović, Jelena ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-04-15), Heft 8, S. 83701-83707
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigation of effective-medium approximation, alloy, average-composition, and graded-composition models for interface analysis by spectroscopic ellipsometry.
    Kim, T. J. ; Ghong, T. H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-09-15), Heft 6, S. 63512-63517
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Chemicophysical surface treatment and the experimental demonstration of Schottky-Mott rules for metal/semiconductor heterostructure interfaces.
    Motayed, Abhishek ; Mohammad, S. Noor
    In: Journal of Chemical Physics, Jg. 123 (2005-11-15), Heft 19, S. 194703-194710
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Microstructural and optical properties of self-organized GaN quantum-dot assemblies.
    Panin, G. N. ; Park, Y. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-02-15), Heft 4, S. 43527-43530
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Misfit dislocation formation in the AlGaN/GaN heterointerface.
    Floro, J. A. ; Follstaedt, D. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-15), Heft 12, S. 7087-7094
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -