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    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 62 (2011-08-01), Heft 1, S. 142-145
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Properties of MOVPE GaN grown on ZnO deposited on Si(001) and Si(111) substrates
    Paszkiewicz, R. ; Paszkiewicz, B. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-11-15), Heft 23, S. 4891-4895
    Online academicJournal
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