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    Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD.
    Um, Dae-Young ; Mandal, Arjun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 18 (2016-01-21), Heft 3, S. 480-487
    Online academicJournal
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    Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique.
    Byung Oh Jung ; Bae, Si-Young ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 16 (2014-03-18), Heft 11, S. 2273-2282
    Online academicJournal
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    Various types of GaN/InGaN nanostructures grown by MOCVD on Si(111) substrate.
    Rozhavskaya, Mariya M. ; Lundin, Wsevolod V. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 10 (2013-03-01), Heft 3, S. 441-444
    academicJournal
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    Growth of network structured carbon-doped GaN (GaN:C) nanowires using a modified metal-organic chemical vapor deposition.
    Kim, Hong Tak ; Kim, Chan-Duk ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 123 (2016), S. 82-85
    Online academicJournal
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