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    Growth kinetics of Ga x In(1−x)P nanowires using triethylgallium as Ga precursor.
    Dagytė, Vilgailė ; Heurlin, Magnus ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-09-28), Heft 39, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Sn-seeded GaAs nanowires grown by MOVPE.
    Sun, Rong ; Vainorius, Neimantas ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 27 (2016-05-27), Heft 21, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Precursor flow rate manipulation for the controlled fabrication of twin-free GaAs nanowires on silicon substrates.
    Kang, J. H. ; Gao, Q. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 23 (2012-10-19), Heft 41, S. 1-1
    Online academicJournal
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    n-type doping and morphology of GaAs nanowires in Aerotaxy.
    Metaferia, Wondwosen ; Sivakumar, Sudhakar ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-07-23), Heft 28, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Effect of carbon tetrabromide on the morphology of GaAs nanowires.
    Salehzadeh, O ; S P Watkins
    In: Nanotechnology, Jg. 22 (2011-04-22), Heft 16, S. 165603-165603
    Online academicJournal
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