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    Growth mechanism of atmospheric pressure MOVPE of GaN and its alloys: gas phase chemistry and its impact on reactor design
    Matsumoto, Koh ; Tachibana, Akitomo
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 272 (2004-12-01), Heft 1-4, S. 360-369
    Online academicJournal
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    Effects of reactor pressure and residence time on GaN MOVPE growth efficiency
    Lundin, W.V. ; Zavarin, E.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 287 (2006-01-25), Heft 2, S. 605-609
    Online academicJournal
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