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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers.
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 15 (2022-10-01), Heft 19, S. 6916-6928
    Online academicJournal
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    Study of Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Deposition by MOVPE from Trimethylgallium and Oxygen in a Wide Temperature Range.
    Lundin, V. V. ; Rodin, S. N. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 49 (2023-12-04), S. S211- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    The influence of GaN growth temperature on parasitic masking in SA-MOVPE using PECVD SiO2 mask.
    Stȩpniak, Michał ; Wośko, Mateusz ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 168 (2023-12-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Metalorganic vapor-phase epitaxy of GaN from trimethylgallium and tertiarybutylhydrazine
    Hsu, Y.J. ; Hong, L.S. ; et al.
    2003
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    MOVPE Growth of InAlGaN Layers and Quantum structures for UV applications
    Ali, Muhammad ; Suihkonen, Sami ; et al.
    2007
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION GROWTH OF GAN
    LU, DC ; WANG, D ; et al.
    1995
    unknown
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    MOVPE growth of aluminium gallium nitride ; Alumiinigalliumnitridin valmistus MOVPE-menetelmällä
    Svensk, Olli ; Lang, Teemu ; et al.
    2005
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?

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