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    Study of Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Deposition by MOVPE from Trimethylgallium and Oxygen in a Wide Temperature Range
    Lundin, V. V. ; Rodin, S. N. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 49 (2023-12-01), Heft Suppl 3, S. S211- (4S.)
    Online academicJournal
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    In-situ monitoring of surface stoichiometry and growth kinetics study of GaN (0001) in MOVPE by spectroscopic ellipsometry
    Taniyasu, Yoshitaka ; Yoshikawa, Akihiko
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-11-01), Heft 11, S. 1402-1407
    Online academicJournal
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    High C-doping of MOVPE grown thin Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As layers for AlGaAs/GaAs interband tunneling devices
    Dimroth, F. ; Schubert, U. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 47-52
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Metalorganic InP and In<subscript>x</subscript> Ga<subscript>1-x</subscript>, As<subscript>y</subscript> P<subscript>1-y</subscript>, on InP epitaxy at atmospheric pressure
    Mircea, A. ; Azoulay, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 13 (1984-05-01), Heft 3, S. 603-620
    Online academicJournal
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