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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
    Online academicJournal
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    On extraction of self-heating features in UTBB SOI MOSFETs.
    Makovejev, S. ; Olsen, S. ; et al.
    In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012, S. 109-112
    Online Konferenz
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs.
    Arshad, Mohd Khairuddin Md ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    Online academicJournal
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    Nanowire and planar UTB SOI Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation.
    Knoll, L. ; Schafer, A. ; et al.
    In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012, S. 45-48
    Online Konferenz
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    Two-dimensional physics-based modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs.
    Schwarz, Mike ; Holtij, Thomas ; et al.
    In: Proceedings of the 19th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits & Systems - MIXDES 2012, 2012, S. 88-93
    Online Konferenz
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    Hole Transport in UTB MOSFETs in Strained-Si Directly on Insulator With Strained-Si Thickness Less Than 5 nm.
    Aberg, Ingvar ; Hoyt, Judy L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-09-01), Heft 9, S. 661-663
    Online academicJournal
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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo.
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
    Online academicJournal
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    Extraction of Isothermal Condition and Thermal Network in UTBB SOI MOSFETs.
    Karim, M. A. ; Chauhan, Y. S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-09-01), Heft 9, S. 1306-1308
    Online academicJournal
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    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation.
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    Online academicJournal
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    Impact of back biasing on carrier transport in ultra-thin-body and BOX (UTBB) Fully Depleted SOI MOSFETs.
    Xu, Nuo ; Andrieu, Francois ; et al.
    In: 2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT), 2012, S. 113-114
    Online Konferenz
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    Physical Mechanisms of Mobility Enhancement in Ultrathin Body GeOI pMOSFETs Fabricated by HEtero-Layer-Lift-Off Technology.
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-03-01), Heft 3, S. 1182-1188
    Online academicJournal
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    RF behavior of undoped channel ultra-thin body with ultra-thin BOX MOSFETs.
    Arshad, M. K. Md ; Emam, M. ; et al.
    In: 2012 IEEE 12th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, 2012, S. 105-108
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Impact of Quantum Confinement on Backgate-Bias Modulated Threshold-Voltage and Subthreshold Characteristics for Ultra-Thin-Body GeOI MOSFETs.
    Yu, Chang-Hung ; Wu, Yu-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-07-01), Heft 7, S. 1851-1855
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impact of Quantum Confinement on Subthreshold Swing and Electrostatic Integrity of Ultra-Thin-Body GeOI and InGaAs-OI n-MOSFETs.
    Yu, Chang-Hung ; Wu, Yu-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 11 (2012-02-01), Heft 2, S. 287-291
    Online academicJournal
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    A Low-Field Mobility Model for Bulk and Ultrathin-Body SOI p-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations.
    Silvestri, Luca ; Reggiani, Susanna ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 12, S. 3287-3294
    Online academicJournal
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    A Tight-Binding Study of the Ballistic Injection Velocity for Ultrathin-Body SOI MOSFETs.
    Liu, Yang ; Neophytou, Neophytos ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-03-01), Heft 3, S. 866-871
    Online academicJournal
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    Ultrathin-Body Strained-Si and SiGe Heterostructure-on-Insulator MOSFETs.
    Åberg, Ingvar ; Chléirigh, Cáit Ní ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-05-01), Heft 5, S. 1021-1029
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    Band-to-Band-Tunneling Leakage Suppression for Ultra-Thin-Body GeOI MOSFETs Using Transistor Stacking.
    Hu, Vita Pi-Ho ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-02-01), Heft 2, S. 197-199
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Sub-10-nm Extremely Thin Body InGaAs-on-Insulator MOSFETs on Si Wafers With Ultrathin \Al2\O3 Buried Oxide Layers.
    Yokoyama, Masafumi ; Iida, Ryo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-09-01), Heft 9, S. 1218-1220
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Impact of Quantum Confinement on Short-Channel Effects for Ultrathin-Body Germanium-on-Insulator MOSFETs.
    Wu, Yu-Sheng ; Hsieh, Hsin-Yuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011), Heft 1, S. 18-20
    Online academicJournal
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