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    Coherently strained (001) β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>: Growth and compositional analysis.
    Mauze, Akhil ; Itoh, Takeki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-09-21), Heft 11, S. 1-8
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    Depth profiling of AlN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N crystals by XPS using Al Kα and Ag Lα line excitation and Ar ion gas cluster ion source.
    Romanyuk, O. ; Brault, J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-01-21), Heft 3, S. 1-13
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    An electron paramagnetic resonance study of the electron transport in heavily Si-doped high Al content Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N.
    Zvanut, M. E. ; Hanle, Jackson P. ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 13 (2023-12-01), Heft 12, S. 1-6
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    Fabrication of tunable bandgap epitaxial β‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> films using a spin‐coating method.
    Milisavljevic, Iva ; Wu, Yiquan
    In: International Journal of Applied Ceramic Technology, Jg. 20 (2023-03-01), Heft 2, S. 725-734
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    Bandgap Tailoring of Monoclinic Single‐Phase β‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> (0 ≤ x ≤ 0.65) Thin Film by Annealing β‐Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Heterojunction at High Temperatures
    Li, Zhengcheng ; Wu, Ying ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 218 (2021-05-15), Heft 10, S. 1-10
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    Anisotropic dielectric function, direction dependent bandgap energy, band order, and indirect to direct gap crossover in α-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> (0≤x≤1).
    Hilfiker, Matthew ; Kilic, Ufuk ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 121 (2022-08-01), Heft 5, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    MBE growth and properties of GaN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N on GaN/SiC substrates
    Johnson, M. A. L. ; Fujita, Shizuo ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), Heft 5, S. 793-797
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    Monolayer‐Range Compositional Modulations in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N<subscript>(x = 0.6–0.75)</subscript> Layers Grown Using Plasma‐Assisted Molecular Beam Epitaxy under Me‐Rich Conditions with an Off‐Centered Spatial Distribution of Activated Nitrogen Flux
    Jmerik, Valentin ; Nechaev, Dmitrii ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 219 (2022-03-15), Heft 6, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Al<subscript>x</subscript>Ga1−xN GROWTH BY Si/N TREATMENT OF SAPPHIRE SUBSTRATE: COMPARISON WITH OTHERS GROWTH TECHNIQUES.
    HALIDOU, I. ; TOURÉ, A. ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 27 (2020-03-01), Heft 03, S. N.PAG- (8S.)
    academicJournal
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    High-frequency and below bandgap anisotropic dielectric constants in α-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> (0≤x≤1).
    Hilfiker, Matthew ; Kilic, Ufuk ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 119 (2021-09-21), Heft 9, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Self-Organization of the Composition of AlxGa1 – xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates.
    Kukushkin, S. A. ; Sharofidinov, Sh. Sh. ; et al.
    In: Physics of the Solid State, Jg. 63 (2021-03-01), Heft 3, S. 442-448
    Online academicJournal
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    Refractive indices of MBE-grown AlxGa(1−x)As ternary alloys in the transparent wavelength region.
    Papatryfonos, Konstantinos ; Angelova, Todora ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 11 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Luminescence and superradiance in electron-beam-excited Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N.
    Bokhan, P. A. ; Gugin, P. P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-09-21), Heft 11, S. 113103-1- (6S.)
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    Suppression of the quantum-confined Stark effect in AlxGa1-xN/AlyGa1-yN corrugated quantum wells.
    Toropov, A. A. ; Shevchenko, E. A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-09-28), Heft 12, S. 124306-124311
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    Specifics of Heat Transfer in AlxGa1 – xN/GaN Heterostructures on Sapphire.
    Chernodubov, D. A. ; Maiboroda, I. O. ; et al.
    In: Physics of the Solid State, Jg. 62 (2020-04-01), Heft 4, S. 722-726
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    Light polarization characteristics of m-plane Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N films suffering from in-plane anisotropic tensile stresses.
    Hazu, K. ; Hoshi, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-02-01), Heft 3, S. 33701-33706
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    Investigation of nitrogen polar p-type doped GaN/Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>(1-x)</subscript>N superlattices for applications in wide-bandgap p-type field effect transistors.
    Krishna, Athith ; Raj, Aditya ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-10-21), Heft 17, S. N.PAG- (5S.)
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