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    Fabrication of tunable bandgap epitaxial β‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> films using a spin‐coating method.
    Milisavljevic, Iva ; Wu, Yiquan
    In: International Journal of Applied Ceramic Technology, Jg. 20 (2023-03-01), Heft 2, S. 725-734
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    Bandgap Tailoring of Monoclinic Single‐Phase β‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> (0 ≤ x ≤ 0.65) Thin Film by Annealing β‐Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Heterojunction at High Temperatures
    Li, Zhengcheng ; Wu, Ying ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 218 (2021-05-15), Heft 10, S. 1-10
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    Monolayer‐Range Compositional Modulations in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N<subscript>(x = 0.6–0.75)</subscript> Layers Grown Using Plasma‐Assisted Molecular Beam Epitaxy under Me‐Rich Conditions with an Off‐Centered Spatial Distribution of Activated Nitrogen Flux
    Jmerik, Valentin ; Nechaev, Dmitrii ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 219 (2022-03-15), Heft 6, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Molecular Beam Epitaxy Growth and Characterization of Germanium‐Doped Cubic Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>N.
    Deppe, Michael ; Henksmeier, Tobias ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 257 (2020-04-01), Heft 4, S. 1-10
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    Molecular beam epitaxy of free-standing bulk wurtzite Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers using a highly efficient RF plasma source.
    Novikov, S. V. ; Staddon, C. R. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 13 (2016-05-01), Heft 5/6, S. 217-220
    academicJournal
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    cur Exciton recombination in spontaneously formed and artificial quantum wells Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-y</subscript>N (x<y~0.8).
    Toropov, A. A. ; Shevchenko, E. A. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 13 (2016-05-01), Heft 5/6, S. 232-238
    academicJournal
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    Design of AlGaN/AlN Dot‐in‐a‐Wire Heterostructures for Electron‐Pumped UV Emitters.
    Dimkou, Ioanna ; Harikumar, Anjali ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 217 (2020-04-01), Heft 7, S. 1-6
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    Intersubband Transitions in Nonpolar m‐Plane AlGaN/GaN Heterostructures.
    Nguyen, Trang ; Shirazi‐hosseini‐dokht, Mohammadali ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 215 (2018-07-01), Heft 13, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Structural and optical properties of Al <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1- x</subscript>N nanowires.
    Pierret, A. ; Bougerol, C. ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 7 (2013-10-01), Heft 10, S. 868-873
    Online academicJournal
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